特許の英語（特許翻訳分野）

be doped n-type, be doped p-type

エミッタおよびコレクタがｎ型にドープされ、ベースがｐ型にドープされている場合、このデバイスは、「ｎｐｎ」型トランジスタになる。

If the emitter and collector are doped n-type and the base is doped p-type, the device is an"npn" transistor.

特許公表２００４－５３２５３４
WO03001603より引用

外部リード線

これら３つの領域のそれぞれに外部リード線を取り付けることができ、これらのリード線を使用して、デバイスに外部電圧および電流を印加することができる。

External leads can be attached to each of the three regions and external voltages and currents can be applied to the device using these leads.

特許公表２００４－５３２５３４
WO03001603より引用

近傍（きんぼう）の nearby

近傍の接合部のバイアスを変えることによって一方のｐ－ｎ接合中で電流の変調を行うことを「バイポーラ・トランジスタ動作」と呼ぶ。

Modulation of the current flow in one p-n junction by changing the bias of the nearby junction is called "bipolar-transistor action."

特許公表２００４－５３２５３４
WO03001603より引用

特定の specific

理想的には、この２つのｐ－ｎ接合（エミッタ－ベース接合およびコレクタ－ベース接合）は、互いに特定の距離だけ離間して、半導体材料の単一層中にある。

Ideally, the two p-n junctions (the emitter-base and collector-base junctions) are in a single layer of semiconductor material separated by a specific distance.

特許公表２００４－５３２５３４
WO03001603より引用

原文で、コロンを使って整理している例

バイポーラ・トランジスタは、エミッタ、コレクタおよびエミッタとコレクタの間に配設されたベースの３つのデバイス領域を有する。

The bipolar transistor has three device regions: an emitter, a collector, and a base disposed between the emitter and the collector.

特許公表２００４－５３２５３４
WO03001603より引用

バイポーラ・トランジスタは、エミッタ、コレクタおよびエミッタとコレクタの間に配設されたベースの３つのデバイス領域を有する。

The bipolar transistor has three device regions: an emitter, a collector, and a base disposed between the emitter and the collector.

特許公表２００４－５３２５３４
WO03001603より引用

近接した

バイポーラ・トランジスタは、近接した２つのｐ－ｎ接合を備えた電子デバイスである。

The bipolar transistor is an electronic device with two p-n junctions in close proximity.

特許公表２００４－５３２５３４
WO03001603より引用

switch スイッチングする

第２応用例では、微小電流を用いて「オン」状態と「オフ」状態の間でトランジスタをスイッチングする。

In the second application, a small current is used to switch the transistor between an "on"  state and an "off" state.

特許公表２００４－５３２５３４
WO03001603より引用

応用例

この第１応用例では、トランジスタは、微小な交流信号を増幅するように働く。

In the first application, the transistor functions to amplify small ac signals.

特許公表２００４－５３２５３４
WO03001603より引用

be used as xxxing

【背景技術】
【０００２】
トランジスタは、電子回路中で増幅またはスイッチングを行うデバイスとして使用する。

BACKGROUND OF THE INVENTION
Transistors are used as either amplifying or switching devices in electronic circuits.

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特許公表２００４－５３２５３４
WO03001603より引用

「一般に」と「より詳細には」

本発明は、一般に、バイポーラ・トランジスタに関し、より詳細には、ＢｉＣＭＯＳ（バイポーラ・相補型金属酸化膜半導体）トランジスタ集積回路中に突出外因性ベースを備えるバイポーラ・トランジスタを形成するプロセスに関する。

The present invention relates generally to bipolar transistors and, more particularly, to a process for forming a bipolar transistor with a raised extrinsic base in an integrated bipolar and complementary metal-oxide-semiconductor (BiCMOS) transistor circuit.

特許公表２００４－５３２５３４
WO03001603より引用

★「一般に」と「より詳細には」は、定型文中の定型文である。