2010年3月15日 (月)

[Claims] 研摩ヘッドによりウェハに加えられる力に対して要求される化学機械研摩圧の変換精度向上のための分解能向上特性を用いる装置および方法

【特許請求の範囲】 【請求項1】 化学機械研磨において、演算処理のために、ウェハに加えられる圧力値の圧力範囲の中で所望の値を正確に表す方法であって、 前記圧力範囲のスケール区分を規定するために、前記圧...

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研摩ヘッドによりウェハに加えられる力に対して要求される化学機械研摩圧の変換精度向上のための分解能向上特性を用いる装置および方法

【発明の詳細な説明】 【技術分野】 【0001】 本発明は、概して、研磨処理中の製品のための高性能システムおよび技術に関する。具体的には、本発明は、要求CMP圧力を示すデータを研磨(すなわち平滑化)ヘ...

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2010年3月14日 (日)

[Claims] エラー成形手段を有する多ビットデルタ・シグマアナログ・デジタル変換器

【特許請求の範囲】 【請求項1】 デルタ・シグマアナログ・デジタル変換器で使用される量子化装置において、 入力アナログ信号をしきい値と比較してそれに応答してデジタル出力を生成する第1および第2の比較器...

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エラー成形手段を有する多ビットデルタ・シグマアナログ・デジタル変換器

【発明の詳細な説明】 【技術分野】 【0001】 本発明は、アナログ・デジタルに関し、特に、本発明のデルタ・シグマ変調器を有するアナログ・デジタル変換器に関する。 【背景技術】 【0002】 現在オー...

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2010年3月13日 (土)

[Claims] オフセットを用いるシグマ-デルタ変調

【特許請求の範囲】 【請求項1】 複数の中間サンプルを発生させるために複数の入力サンプルにオフセットを加えるように構成された加算器と、 前記複数の中間サンプルに関してノイズシェイピングを実行して複数の...

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オフセットを用いるシグマ-デルタ変調

【発明の詳細な説明】 【技術分野】 【0001】 本願の開示内容は一般にエレクトロニクスに関し、より具体的にはシグマ-デルタ(ΣΔ)変調に関する。 【背景技術】 【0002】 ΣΔ変調器は、オーバーサ...

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[Claims] 高透明性非金属カソード

【特許請求の範囲】 【請求項1】 半導体有機層と低抵抗電気接触した電気伝導性非金属層からなるカソード。 【請求項2】 電気伝導性非金属層が、少なくとも1eVのバンドギッャプを有する広バンドギッャプ半導...

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高透明性非金属カソード

【発明の詳細な説明】 【0001】 (技術分野) 本発明は、光電子デバイス(装置,devices)、特に高度に透明な非金属カソードに用いられる非金属カソードに関する。詳しくは、本発明は、高度に透明な非...

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2010年3月12日 (金)

[Claims] チャーピングされた多層井戸活性領域LED

【特許請求の範囲】 【請求項1】 基層と、 前記基層の上に位置する第1伝導型の下部領域と、前記下部領域の上に位置する多層井戸活性領域と、を具備し、前記多層井戸活性領域が、少なくとも2つの発光活性層およ...

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チャーピングされた多層井戸活性領域LED

【発明の詳細な説明】 【0001】 (技術分野) 本発明は、一般にLEDの構造に関し、より詳細にはLEDにおける活性領域に関する。 【0002】 (背景技術) 発光ダイオード(LED)は、低消費電力、...

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