２つのタイプの面上に高い品質のフィルム積層を形成するために、シリコンバッファ層をマスキングしたり、パターン化する処理を必要としないということが特筆される。
Note that it was not necessary tomask/pattern the silicon buffer layer to deposit a high-quality filmstack over both types of surface.
特許公表２００５－５０３０００
WO02065517より引用
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前回の日記で書いた、
http://xenakis.cocolog-tcom.com/blog/2008/05/post_8db3.html
仕事をもらうことを重視する翻訳スクールの見学会の日程が決まりました。
とりあえず、７月５日（土）、12日（土）の4pm-6pmを予定しています。
まだ、以下の翻訳スクールのサイトが更新されていないと思いますが、上記の日時で行う予定です。
内容の詳細は、以下のサイトを時々ご覧ください。
http://www.qollounge.com/ps/index.php
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エンジニア、弁理士、経営者（翻訳を出すお客様）、翻訳者が一同に集まり、特許翻訳者を育てる知財翻訳スクール設立にほぼ近づきました。
以下のリンクをクリックしてご覧ください。
http://www.qollounge.com/ps/index.php
（ブラウザは、出来る限りIEをお薦めします。
もちろんFirefoxでも構いませんが、画面のレイアウトに少々違いが出る場合があります。）
これまでの翻訳学校とは異なるのは、お客様（クライアント）自体が主体となって、新人翻訳者の育成に力を入れることです。
また、「専門技術」のコースを強化していることです。
「語学は得意だけれど、専門技術がない」という人は多いと思います。そこで、「専門技術」のコースにおいて、スキルアップをして頂きたいと思います。
現在、クライアント自体が持つ翻訳（特に特許関係）の仕事が余っているので、効率よく、翻訳処理をすることを望んでいます。
しかし、現実には、特許関係の翻訳を訳せるほどの実力のある翻訳者が不足しているため、なかなか、迅速に品質の良い特許翻訳をすることができません。
そこで、知財翻訳スクール設立を決定したわけです。
現在、まだ確定していませんが、最初から、クライアントの仕事を行うクラスも追加する予定です。
●このクライアントが直接仕事を提供することが、他の翻訳学校と最も異なる特徴です。
（現在、ホームページには表示していませんが、近日中に追加する予定です。）
また、他の翻訳学校と差別化するために、専門技術の会社の見学もオプションとして加えました。
この見学も、一般人が入室不可能な場所まで入って見ることができます。
また、専門分野で一流のエンジニアに直接会うこともできます。
※これも、他の翻訳学校と異なる特徴です。
５月30日（金）には、臨海副都心センターにある産業技術総合研究所の三宅正人氏や、東大で講義をされている並木幸久氏と直接お会いすることができます。
どちらの方もバイオ技術においては一流の方です。
これから翻訳者になりたい方々の正直な欲求や不安は以下に集約されると思います。
＊仕事がほしい
＊翻訳者になれるかなー？
その意味でも、今後、新しい形態の知財翻訳スクールをぜひ活用して頂き、知り合いで翻訳者になりたい方々にも、上記知財翻訳スクールのことをお知らせ頂ければ幸いです。
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すべての層におけるすべてのフィルムの物理的特性は、すべての面にわたって、厚さ、元素の含有量ともに極めて均一であった。
All of the film physical properties for all of the layers were highly uniform with respect to thickness and elemental concentration uniformity across the entire surface.
特許公表２００５－５０３０００
WO02065517より引用
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また、結晶の品質が優れた全厚さ１，１００ÅのヘテロエピタキシャルＳｉＧｅフィルム（部分的にボロンがドープされている）が、第１ステップで成膜されたエピタキシャルシリコンフィルム上に形成された。
A high crystal quality, heteroepitaxial SiGe film having a total thickness of 1,100A, partially doped with boron, was deposited on the epitaxial silicon film deposited in the first step.
特許公表２００５－５０３０００
WO02065517より引用
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連続した、表面が滑らかで、高い均一性を有する全厚さ１，０００Åの非晶質のＳｉＧｅフィルム（部分的にボロンがドープされている）が、第１ステップで成膜された非晶質シリコン層上に形成された。
A continuous, smooth, highly uniform amorphous silicon germanium film, partially doped with boron, having a total thickness of 1,000A was deposited on the amorphous silicon layer deposited in the first step.
特許公表２００５－５０３０００
WO02065517より引用
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第５に、ジボランの流量を一定に維持し、ゲルマンの流量を３０秒間、１０ｓｃｃｍに減らした。
Fifth, the diborane flow was held constant and the germane flow was reduced to 10 sccm for 30 seconds.
特許公表２００５－５０３０００
WO02065517より引用
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第４に、流量９０ｓｃｃｍ(inject)のジボラン（１００ｐｐｍ、２ｓｌｍの超高純度水素ガス）を反応室に導入する一方で、ゲルマンの流量を、１０秒間１５ｓｃｃｍに変化させた。
Fourth, the flow was changed to 15 sccm for 10 seconds while a flow of 90 sccm (inject) of diborane (100 ppm, 90 sccm mixed with 2slm ultra-pure hydrogen) was also introduced into the reactor.
特許公表２００５－５０３０００
WO02065517より引用
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第３に、流量を、３０秒間２０ｓｃｃｍに変化させた。
Third, the flow was changed to 20 sccm for 30 seconds.
特許公表２００５－５０３０００
WO02065517より引用
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