カンマ＋including #05

ヘテロ接合バイポーラトランジスタやヘテロ絶縁ゲート電界効果トランジスタを有する半導体装置に限らず、半導体装置全般におけるコンタクト構造に関する。

This invention relates to a contact structure of general semiconductor devices, including heterojunction bipolar transistors and heterojunction insulated-gate field effect transistor.

WO9629740より引用