を備えた with #03
本発明は、
第一のドーピング形を備える半導体物質のコレクタ領域と、
前記第一のドーピング形を備える半導体物質のエミッタ領域と、
前記第一のドーピング形と逆である第二のドーピング形を備える半導体物質のベース領域と
を有するバイポーラトランジスタであって、前記ベース領域は前記エミッタ領域と前記コレクタ領域との間に位置され、半導体領域が前記コレクタ領域と前記ベース領域との間に延在するバイポーラトランジスタに関する。
The invention relates to a bipolar transistor comprising - a collector region of a semiconductor material with a first doping type, - an emitter region of a semiconductor material with the first doping type, and - a base region of a semiconductor material with a second doping type, opposite to the first doping type, which base region is situated between the emitter region and the collector region, a semiconductor area extending between the collector region and the base region.
特許公表2004-538646
WO03015177より引用
(日→英なので、英文は参考程度以下として扱うこと)
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