be believed to be a result of

このフィルム形成の相違は、シリコン源としてシランを用いた場合、２種類の表面上への核生成速度に相違があり、その核生成速度の相違に起因するものと考えられている。

The differences in film formation are believed to be a result of the differences innucleation rates on the two surfaces when silane is used as the silicon source.

特許公表２００５－５０３０００
WO02065517より引用