onto which

更に本発明は、第一のドーピング形を備える半導体物質のコレクタ領域を有するバイポーラトランジスタを製造する方法であって、前記領域上に前記第一のドーピング形と逆である第二のドーピング形を備える半導体物質のベース領域が設けられる方法にも関する。

The invention also relates to a method of manufacturing a bipolar transistor comprising a collector region of a semiconductor material with a first doping type onto which a base region of a semiconductor material with a second doping type, opposite to the first doping type, is provided.

特許公表２００４－５３８６４６
WO03015177より引用
（日→英なので、英文は参考程度以下として扱うこと）