このフィルム形成の相違は、シリコン源としてシランを用いた場合、２種類の表面上への核生成速度に相違があり、その核生成速度の相違に起因するものと考えられている。
The differences in film formation are believed to be a result of the differences innucleation rates on the two surfaces when silane is used as the silicon source.
特許公表２００５－５０３０００
WO02065517より引用
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約６２５℃又はそれ以下の温度で、エピタキシャル面（単結晶面）１２０上のエピタキシャルシリコンフィルム１３０にはほとんど欠陥が生じない条件が選ばれた。しかし、そのような条件でも、シリコン酸化物面１１０上には、フィルムが形成されないか（図１Ｂ）、品質の劣ったフィルム１４０が形成されたにすぎなかった。
For temperatures of about625 C and below, deposition conditions can be selected that result in a low defectivity, epitaxial silicon film 130 over the epitaxial surface 120, but under such conditions no film (Figure1B) or a film 140 having poor quality (Figure1C) is deposited over the oxide surface110.
特許公表２００５－５０３０００
WO02065517より引用
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また、図１Ｂと１Ｃは、化学気相成長法でシランを使用することによって、基板１００にシリコンフィルムを成膜した結果を示す模式的断面図である。
Figures 1B and 1C schematically illustrate the results obtained by using silane in a chemical vapor deposition process to deposit a silicon film onto the substrate100.
特許公表２００５－５０３０００
WO02065517より引用
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例えば、図１Ａは、露出したシリコン酸化物面１１０と、露出したシリコンの単結晶面１２０とを備える基板を示す模式的断面図である。
For example, Figure 1A schematically illustrates a cross-section of a substrate 100 having an exposed silicon dioxide ("oxide") surface 110 and an exposed single crystal silicon surface 120.
特許公表２００５－５０３０００
WO02065517より引用
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その他の膜成長パラメータには、反応器全体の圧力、反応物質の分圧及び反応物質の流量が含まれ、これらを含む膜成長パラメータも、混合基板に形成される膜の品質に強い影響を及ぼす。
Other deposition parameters, including total reactor pressure, reactant partial pressure and reactant flow rate can also strongly influence the quality of depositions over mixed substrates.
特許公表２００５－５０３０００
WO02065517より引用
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このコントロールが難しい理由は、形成されるシリコン含有フィルムの形態と厚さが、下層の基板の成膜温度と形態の両方の影響を受けるからである。
Control is difficult because the morphology and thickness of the resulting Si-containing film depend on both the deposition temperature and the morphology of the underlying substrate.
特許公表２００５－５０３０００
WO02065517より引用
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しかし、これらの従来のシリコン源を用いる成膜法では、通常、単結晶シリコンとシリコン酸化物の両者を含む表面のような混合基板への成膜をコントロールすることが困難である。
However, deposition using these conventional silicon sources is generally difficult to control over mixed substrates, such as surfaces containing both single crystal silicon and silicon dioxide.
特許公表２００５－５０３０００
WO02065517より引用
●deposition [UC] 堆積
（研究社 新英和中辞典より引用）
半導体分野で、翻訳を発注するお客により、「deposition＝堆積」、「deposition＝成膜」、あるいは「deposition＝成長」と指定する場合がある。
つまり、お客により指示する訳語がまちまちである。
このような時は、語学的や技術的に正しいかどうかで判断するのではなく、あくまでも、お客の指示に従うべきである。
翻訳者は、いわば床屋のようなものである。
お客が指示した髪型が「変」だと思っても、あくまでも、お客の指示に従うべきである。
ただし、翻訳済文章の後に、「翻訳メモ」のようなコーナーを作っておくと、後々、トラブルが少なくなる。
そのコーナーに、「○○は△△だと解釈しましたが、御社の指示どおり訳しました。」とメモを入れておけば、お客は、翻訳者は内容を理解しつつも、お客の指示に従っていることを理解してくれるので、この「翻訳メモ」を活用するとよい。
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例えば、シリコンテトラクロライド（ＳｉＣｌ4）、シラン（ＳｉＨ4）及びジクロロシラン（ＳｉＨ2Ｃｌ2）は、半導体製造業界では、Ｓｉ含有フィルム成膜用のシリコン源として、もっとも広く使用されている（参照：Peter Van Zant, "Microchip Fabrication," 4th Ed., McGraw Hill, New York, (2000), pp.380-382）。
For example, silicon tetrachloride(SiC14), silane (SiH4), anddichlorosilane (SiHzCk) are the most widely used silicon sources in the semiconductor manufacturing industry for depositing Sicontaining films, see Peter Van Zant,"MicrochipFabrication,"4th Ed., McGraw Hill, New York, (2000), p 380-382.
特許公表２００５－５０３０００
WO02065517より引用
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このような核生成に関する問題点があるために、従来のシリコン源と成膜プロセスを用いることによって、２つ又はそれ以上の異なったタイプの表面を有する基板上に、同じ物理的性質を持つＳｉ含有材料の薄いフィルムを成膜することには、大きな問題がある。
Because of thesenucleation issues, deposition of thin film Sicontaining materials with similar physical properties onto substrates having two or more different types of surfaces using conventional silicon sources and deposition methods is often problematic.
特許公表２００５－５０３０００
WO02065517より引用
●because of
・He decided to attend the concert in part because of his friendship with the conductor. 彼が音楽会に行くことにしたのは一つには指揮者が友人だからだった
・It was largely because of you that he failed. 彼が失敗したのは大部分は君のせいだ
・Because of illness, I was unable to accompany them. 病気のため彼らと一緒に行けなかった.
（研究社 新編英和活用大辞典より引用）
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例えば、除去されなかった酸化物のアイランドがあるウェーハ面に、単結晶フィルムを成長させようとすると、バルクフィルム内に多結晶を含む領域が形成されるはずである。
For example, attempting to grow a single-crystal film on a wafer with islands of unremoved oxide will result in regions of polysilicon in the bulk film.
特許公表２００５－５０３０００
WO02065517より引用
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従来のシリコン源と成膜プロセスを用いる場合、核生成が極めて重要で、核生成はほぼ基板の品質に依存している。
When using conventional silicon sources and deposition processes, nucleation is very important and critically dependent on substrate quality.
特許公表２００５－５０３０００
WO02065517より引用
●critical
extremely important because a future situation will be affected by it syn crucial: a critical factor in the election campaign
* Reducing levels of carbon dioxide in the atmosphere is of critical importance.
* Your decision is critical to our future.
--> note at essential
（OALDより引用）
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成膜プロセスは、通常、エピタキシャル、多結晶、アモルファスなどの特定のタイプのバルクフィルム形態を形成するように設計されている。
Deposition processes are usually designed to produce a particular type of bulk film morphology, e. g., epitaxial, polycrystalline or amorphous.
特許公表２００５－５０３０００
WO02065517より引用
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このフィルムは、遷移フィルムが形成された後に成長し始める厚いバルクフィルムとは異なる化学的性質と物理的性質を有している。
It generally has chemical and physical properties that are different from the thicker bulk film that begins to grow after the transition film is formed.
特許公表２００５－５０３０００
WO02065517より引用
＊generallyは、翻訳時に訳モレか？
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第３ステージでは、成長するアイランドが、連続したフィルムにつながり始める。この時、フィルムの厚さは、例えば、数百オングストロームであり、「遷移」("Transition")フィルムと呼ばれている。
In the third stage, the growing islands begin coalescing into a continuous film. At this point, the film typically has a thickness of a few hundred angstroms and is known as a "transition" film.
特許公表２００５－５０３０００
WO02065517より引用
＊coalesce
vi.
1 〈折れた骨などが〉合着する, 癒合する.
2a 〈別々の要素が〉(一つに)合体する.
b 〈政治家･政党などが〉(共通の目的で)合同[連合]する.
vt. 合体させる, 合同させる
（研究社 新英和大辞典より引用）
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第２ステージでは、別々に分離した核が、小さなアイランドを形成し、小さなアイランドは後に大きなアイランドとなる。
During the second stage, the isolated nuclei form small islands that grow into larger islands. In the third stage, the growing islands begin coalescing into a continuous film.
特許公表２００５－５０３０００
WO02065517より引用
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核生成は、基板表面への最初の数原子又は数分子によって起こり、その結果、核が形成される。
Nucleation occurs as the first few atoms or molecules deposit onto the surface and form nuclei.
特許公表２００５－５０３０００
WO02065517より引用
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第１ステージでは、核生成が非常に重要であり、その核生成は、基板表面の性質や品質に大きな影響を受ける。
Nucleation, the first stage, is very important and is greatly affected by the nature and quality of the substrate surface.
特許公表２００５－５０３０００
WO02065517より引用
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従来のシリコン源と成長法を用いるシリコン含有（Ｓｉ含有）材料の成膜は、いくつかの異なったステージでプロセスが進行すると考えられている（参照：Peter Van Zant, "Microchip Fabrication," 4th Ed., McGraw Hill, New York, (2000), pp.364-365）。
Deposition of silicon-containing ("Si-containing") materials using conventional silicon sources and deposition methods is believed to proceed in several distinct stages, see Peter VanZant,"Microchip Fabrication,"4th Ed., McGraw Hill, New York, (2000), pp. 364-365.
特許公表２００５－５０３０００
WO02065517より引用
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例えば、もっとも広く利用されている方法の１つに、化学気相成長（“ＣＶＤ”）法があり、ＣＶＤ法では、気相に含まれる原子又は分子を基板表面に析出、堆積させ、膜を形成させる。
For example, one of the most widely used methods is chemical vapor deposition ("CVD"), in which atoms or molecules contained in a vapor deposit on a surface and build up to form a film.
特許公表２００５－５０３０００
WO02065517より引用
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半導体の製造技術分野では、基板表面上への材料の成膜に、様々な方法が用いられている。
A variety of methods are used in the semiconductor manufacturing industry to deposit materials onto surfaces.
特許公表２００５－５０３０００
WO02065517より引用
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本発明は、一般的にはシリコンを含む材料の成膜に関し、さらに詳細には混合基板上へのシリコンを含むフィルムの化学気相成長に関する。
This application relates generally to the deposition of silicon-containing materials, and more particularly to chemical vapor deposition of silicon-containing films over mixed substrates.
特許公表２００５－５０３０００
WO02065517より引用
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遮断周波数は、トランジスタが電流を増幅しなくなり、電流ゲインが１に等しくなったときの周波数として規定される。
The cutoff frequency is defined as the frequency at which the transistor ceases amplifying the current and the current gain has become equal to 1.
特許公表２００４－５３８６４６
WO03015177より引用
（日→英なので、英文は参考程度以下として扱うこと）
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トランジスタの動作速度は、別の重要なパラメータ、すなわち遮断周波数で表される。
The speed of the transistor is expressed in a different, important parameter, namely the cutoff frequency.
特許公表２００４－５３８６４６
WO03015177より引用
（日→英なので、英文は参考程度以下として扱うこと）
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概して、降伏電圧が増大するとトランジスタの動作速度は減少する。
In general, the speed of the transistor decreases as the breakdown voltage increases.
特許公表２００４－５３８６４６
WO03015177より引用
（日→英なので、英文は参考程度以下として扱うこと）
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当該バイポーラトランジスタの設計には、多くのパラメータ間のトレードオフ（ｔｒａｄｅ－ｏｆｆ）が存在する。重要なパラメータは、コレクタ・ベース間又はコレクタ・エミッタ間の降伏電圧（ブレークダウン電圧（ｂｒｅａｋｄｏｗｎ ｖｏｌｔａｇｅ））である。
The design of such bipolar transistors is a trade-off between a large number of parameters. An important parameter is the breakdown voltage between the collector and the base or the emitter.
特許公表２００４－５３８６４６
WO03015177より引用
（日→英なので、英文は参考程度以下として扱うこと）
＊trade-off
トレードオフ 〔between〕 《二つの相反するものの間で, 一方を取ればもう一方を犠牲にしなければならない状態》.
（研究社 新英和中辞典より引用）
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通常１００ＧＨｚの遮断周波数（ｃｕｔｏｆｆ ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）を備えるバイポーラトランジスタが、通常４０Ｇｂ／ｓを伝送するための光通信ネットワーク（ｏｐｔｉｃａｌ ｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎ ｎｅｔｗｏｒｋ）におけるコンポーネントとして好適に使用され得る。
Bipolar transistors with a cutoff frequency of typically 100 GHz can suitably be used as a component in optical communications networks for transferring typically 40Gb/s.
特許公表２００４－５３８６４６
WO03015177より引用
（日→英なので、英文は参考程度以下として扱うこと）
＊単純にGoogleの検査結果だけで、良し悪しを判断できないが、suitablyの位置により、極端に検索数が異なる。
can suitably be used 約 28,500件
can be suitably used 約 225,000件
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バイポーラトランジスタは非常に多くの用途、なかんずく例えば低雑音増幅器（ｌｏｗ－ｎｏｉｓｅ ａｍｐｌｉｆｉｅｒ）、マルチプレクサ（ｍｕｌｔｉｐｌｅｘｅｒ）、及びデマルチプレクサ（ｄｅｍｕｌｔｉｐｌｅｘｅｒ）のような高周波ＲＦ用途において使用されている。
Bipolar transistors are used in a large number of applications, inter alia highfrequency RF applications, such as low-noise amplifiers, multiplexers and demultiplexers.
特許公表２００４－５３８６４６
WO03015177より引用
（日→英なので、英文は参考程度以下として扱うこと）
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日本国特許第ＪＡ－Ａ－５－７４８００号は、ベース領域における半導体物質としてＳｉＧｅを有するバイポーラトランジスタを開示している。
JP-A 5-74800 discloses a bipolar transistor comprising SiGe as the semiconductor material in the base region.
＊文章中には、移行句としてではなく、一般的なcomprisingが使われている。
特許公表２００４－５３８６４６
WO03015177より引用
（日→英なので、英文は参考程度以下として扱うこと）
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更に本発明は、第一のドーピング形を備える半導体物質のコレクタ領域を有するバイポーラトランジスタを製造する方法であって、前記領域上に前記第一のドーピング形と逆である第二のドーピング形を備える半導体物質のベース領域が設けられる方法にも関する。
The invention also relates to a method of manufacturing a bipolar transistor comprising a collector region of a semiconductor material with a first doping type onto which a base region of a semiconductor material with a second doping type, opposite to the first doping type, is provided.
特許公表２００４－５３８６４６
WO03015177より引用
（日→英なので、英文は参考程度以下として扱うこと）
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