シリコン含有（Ｓｉ含有）材料の成膜

従来のシリコン源と成長法を用いるシリコン含有（Ｓｉ含有）材料の成膜は、いくつかの異なったステージでプロセスが進行すると考えられている（参照：Peter Van Zant, "Microchip Fabrication," 4th Ed., McGraw Hill, New York, (2000), pp.364-365）。

Deposition of silicon-containing ("Si-containing") materials using conventional silicon sources and deposition methods is believed to proceed in several distinct stages, see Peter VanZant,"Microchip Fabrication,"4th Ed., McGraw Hill, New York, (2000), pp. 364-365.

特許公表２００５－５０３０００
WO02065517より引用