成膜する
また、図1Bと1Cは、化学気相成長法でシランを使用することによって、基板100にシリコンフィルムを成膜した結果を示す模式的断面図である。
Figures 1B and 1C schematically illustrate the results obtained by using silane in a chemical vapor deposition process to deposit a silicon film onto the substrate100.
特許公表2005-503000
WO02065517より引用
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