« 模式的断面図 | トップページ | 約625℃又はそれ以下の温度 »

2008年1月19日 (土)

成膜する

また、図1Bと1Cは、化学気相成長法でシランを使用することによって、基板100にシリコンフィルムを成膜した結果を示す模式的断面図である。

Figures 1B and 1C schematically illustrate the results obtained by using silane in a chemical vapor deposition process to deposit a silicon film onto the substrate100.

特許公表2005-503000
WO02065517より引用

|