約６２５℃又はそれ以下の温度

約６２５℃又はそれ以下の温度で、エピタキシャル面（単結晶面）１２０上のエピタキシャルシリコンフィルム１３０にはほとんど欠陥が生じない条件が選ばれた。しかし、そのような条件でも、シリコン酸化物面１１０上には、フィルムが形成されないか（図１Ｂ）、品質の劣ったフィルム１４０が形成されたにすぎなかった。

For temperatures of about625 C and below, deposition conditions can be selected that result in a low defectivity, epitaxial silicon film 130 over the epitaxial surface 120, but under such conditions no film (Figure1B) or a film 140 having poor quality (Figure1C) is deposited over the oxide surface110.

特許公表２００５－５０３０００
WO02065517より引用