ここに示されているＣＶＤ法によれば、混合基板の表面にトリシランを供給すると、Ｓｉ含有フィルムが形成される。
Under the CVD conditions taught herein, the delivery of trisilane to the surface of a mixed substrate results in the formation of a Si-containing film.
特許公表２００５－５０３０００
WO02065517より引用
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本発明が属する技術分野の技術者であれば、ＬＯＣＯＳ法やトレンチ分離法を含む、上記のような基板３００を形成するためのいくつかの方法を十分に理解しているはずである（参照：Peter Van Zant, "Microchip Fabrication," 4th Ed., McGraw Hill, New York, (2000), pp.522-526）。
Those skilled in the art will appreciate a variety of methods for making such a structure 300, including local oxidation of silicon (LOCOS) and trench isolation processes, see Peter Van Zant,"MicrochipFabrication,"4th Ed., McGraw Hill, New York, (2000), pp. 522-526.
特許公表２００５－５０３０００
WO02065517より引用
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シリコンの活性領域３４０と分離領域３１０とは、形態が相違し（結晶質と非晶質）、導電性が相違（導電体と絶縁体）している。
The silicon active area 340 and the surface of the isolation regions 330 are morphologically different (crystalline vs. amorphous) and have different electrical conductivity (conductor vs. insulator).
特許公表２００５－５０３０００
WO02065517より引用
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図に示した例では、基板３００は、単結晶の表面形態を有する半導体の活性領域３４０を備えた第１の基板表面と、非晶質の表面形態を備えた第２の基板表面３３０とを含んでいる。
In the illustrated embodiment, the substrate 300 comprises a first substrate surface having a semiconductor active area 340 having a single crystal surface morphology and a second substrate surface 330 having an amorphous surface morphology.
特許公表２００５－５０３０００
WO02065517より引用
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半導体基板３２０は、単結晶のウェーハ（又はウェーハなどに成膜されたエピタキシャルシリコン層）であることが好ましく、フィールド分離領域３１０は、シリコン酸化物であることが好ましい。
Preferably, the semiconductor substrate 320 is a single crystal wafer, (or an epitaxial silicon layer deposited over such a wafer) and the isolation regions 310 are silicon dioxide.
特許公表２００５－５０３０００
WO02065517より引用
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図３Ａには、半導体基板３２０上のフィールド分離領域３１０を有する基板３００を示した。
Figure 3A illustrates a substrate 300 having field isolation regions 310 over a semiconductor substrate320.
特許公表２００５－５０３０００
WO02065517より引用
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図１Ａ（前出）と図３Ａは、混合基板の特定の例を示す断面図である。
Specific examples of mixed substrates are shown in Figures 1A (discussed above) and 3A.
特許公表２００５－５０３０００
WO02065517より引用
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非晶質の形態は、原子の配列が限定された周期的な配列とはなっていないので、規則性が低い非結晶構造となっている。その他の形態には、微結晶(Microcrystalline)及び非晶質と結晶質の混ざったものがある。
Amorphous morphology is a non-crystalline structure having a low degree of order because the atoms lack a definite periodic arrangement. Other morphologies include microcrystalline and mixtures of amorphous and crystalline material.
特許公表２００５－５０３０００
WO02065517より引用
＊mixture
混合物; 【薬】 混合(水)薬, 合剤; 混色織の織物, 霜降; 【化】 混合物; 《内燃機関内の》混合気[ガス]; 混合比
･a smoking mixture 混合タバコ
･Air is a mixture of gases. 空気は諸気体の混合物である.
（研究社 リーダーズ+プラスより引用）
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単結晶の形態は、高度の規則性を有する結晶構造である。エピタキシャルフィルムには、それらが成長した基板の表面と同じ結晶構造と方位を有するという特徴がある。これらの材料の原子は、比較的長い距離（原子スケール）で続く格子状の構造に配列されている。
Single crystal morphology is a crystalline structure that has a high degree of order. Epitaxial films are characterized by a crystal structure and orientation that is identical to the substrate upon which they are grown. The atoms in these materials are arranged in a lattice-like structure that persists over relatively long distances (on an atomic scale).
特許公表２００５－５０３０００
WO02065517より引用
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多結晶の形態は、規則的な結晶の不規則配列と、中間の規則性を有する配列とを含んでいる。多結晶材料中の原子は、それぞれの結晶内で長い範囲の規則性を有しているが、結晶自体は、相互に長い範囲の規則性を欠いている。
Polycrystalline morphology is a crystalline structure that consists of a disorderly arrangement of orderly crystals and thus has an intermediate degree of order. The atoms in a polycrystalline material have long range order within each of the crystals, but the crystals themselves lack long range order with respect to one another.
特許公表２００５－５０３０００
WO02065517より引用
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そのような混合基板は、第１の表面形態を有する第１の表面と、第２の表面形態を有する第２の表面によって構成される。
Such a mixed substrate comprises a first surface having a first surface morphology and a second surface having a second surface morphology.
特許公表２００５－５０３０００
WO02065517より引用
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ここで説明するプロセスは、様々の混合基板上に、Ｓｉ含有フィルムを成膜するのに有効であるが、形態がミックスされた表面を有する基板に対して、特に有効である。
The processes described herein are useful for depositing Si-containing films on a variety of mixed substrates, but are particularly useful for substrates having mixed surface morphologies.
特許公表２００５－５０３０００
WO02065517より引用
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[not in progressive] formal
1 [linking verb] to consist of particular parts, groups etc:
The house comprises two bedrooms, a kitchen, and a living room.
be comprised of somebody/something
The committee is comprised of well-known mountaineers.
2 [transitive] to form part of a larger group of people or things [= constitute, make up]:
Women comprise a high proportion of part-time workers.
（LDOCEより引用）
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include （★重要な単語 -- 研究すること）
なお、絶縁性材料には、例えば、シリコン酸化物、シリコン窒化物、金属酸化物、金属シリケートなどがある。
Examples of dielectric materials include silicon dioxide, silicon nitride, metal oxide, and metal silicate.
特許公表２００５－５０３０００
WO02065517より引用
[transitive]
1 [not in progressive] if one thing includes another, the second thing is part of the first:
Does the price include postage?
His job includes looking after under-21 teams.
The curriculum includes courses in computing.
2 to make someone or something part of a larger group or set [≠ exclude]:
The team is stronger now they've included Roscoe.
include something in/on something
Service is included in the bill.
Would you include a Walkman on your list of essentials?
WORD CHOICE: WORD CHOICE:
include, consist of, comprise, be composed of, be made up of
Use include to mention only some of the things that something has as its parts
The price includes lunch.
If you want to mention all the parts that something has in it, use consist of, comprise, be composed of, or be made up of
The Romance family of languages consists of French, Spanish, Italian, and several other languages.The house comprises two bedrooms, a kitchen and a living room.
The jury was composed of nine whites, one Hispanic, and two Asian Americans.
an organization made up of 600,000 small business owners
!!Do not say that something 'is consisted of' certain things or that it 'consists' them. Say it consists of them.
!!Do not say that something 'comprises of' certain things, even though you might hear English speakers say this. Most careful users consider this to be incorrect so you should avoid using it.
!!Do not say that something 'is composed by' or 'is composed with' certain things. Say it is composed of them.
（LDOCEより引用）
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上記の例では、Ｓｉ含有層が、導電性の半導体材料と絶縁性材料上に、同時に形成されている。
In the illustrated examples, silicon-containing layers are simultaneously formed over conductive semiconductive materials and dielectrics.
特許公表２００５－５０３０００
WO02065517より引用
adj. 誘電性の; 電媒質の; 不伝導性の, 絶縁の (insulating).
n. [pl.] 誘電体《電界を加えると分極を生じる物体》; 電媒質, 絶縁体.
（研究社 新英和大辞典より引用）
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表面の電気的特性も、相互に異なったものとすることができる。
The electrical properties of surfaces can also make them different from each other.
特許公表２００５－５０３０００
WO02065517より引用
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材料が同じ元素で構成されていたとしても、表面の形態が相違すれば、表面（表面特性）が異なったものとなり得る。
Even if the materials are made from the same element, the surfaces can be different if the morphologies of the surfaces are different.
特許公表２００５－５０３０００
WO02065517より引用
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例えば、銅又はシリコンのように異なった元素、銅とアルミニウムのように異なった金属、シリコン又はシリコン酸化物のようにＳｉを含む異なった材料によって形成することができる。
For example, the surfaces can be made from different elements such as copper or silicon, or from different metals, such as copper or aluminum, or from different Si-containing materials, such as silicon or silicon dioxide.
特許公表２００５－５０３０００
WO02065517より引用
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表面を相互に相違させるには、いくつかの手段がある。
There are various ways that surfaces can be different from each other.
特許公表２００５－５０３０００
WO02065517より引用
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本明細書で用いられている「混合基板」は、２つ又はそれ以上の異なったタイプの表面を備える基板を意味する。
As used herein, a "mixed substrate" is a substrate that has two or more different types of surfaces.
特許公表２００５－５０３０００
WO02065517より引用
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以下に、図２Ａ及び図２Ｂを、さらに詳細に説明する。
Figures 2A and 2B are described in more detail below.
特許公表２００５－５０３０００
WO02065517より引用
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図１Ｂと比べると、トリシランを用いることによって、２つのタイプの基板表面（半導体の単結晶面２２０と絶縁体面２３０）上に、エピタキシャル結晶の品質と全膜厚さがほぼ正確に維持された、Ｓｉ含有フィルム２１０の良好な成膜が行われていることが分かる。
Compared to Figure1B, successful deposition of a Sicontaining film 210 over both types of substrate surface (the single crystal, semiconductor surface 220 and the dielectric surface 230) while maintaining epitaxial crystal quality and a close match in total deposited thickness can be achieved using trisilane.
特許公表２００５－５０３０００
WO02065517より引用
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図２Ａは、そのような成膜プロセスによって得られる好ましい構造２００を示す断面図である。
Figure 2A schematically illustrates a preferred structure 200 resulting from such a deposition process.
特許公表２００５－５０３０００
WO02065517より引用
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【発明を実施するための最良の形態】
【００ＸＸ】
成膜プロセスとしては、核生成現象に対する敏感さが低いプロセスが開発されてきた。これらのプロセスは、混合基板上に、高品質のＳｉ含有フィルムを成膜することができるように、トリシラン（Ｈ3ＳｉＳｉＨ2ＳｉＨ3）を採用している。
Detailed Description of the Preferred Embodiments [00xx] Deposition processes have now been discovered that are much less sensitive to nucleation phenomena. These processes employ trisilane(H3SiSiH2SiH3) to enable the deposition of high quality Si-containing films over mixed substrates.
特許公表２００５－５０３０００
WO02065517より引用
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これらの発明及び別の要旨に係る発明は、以下に詳細に説明する好ましい実施の形態により、さらに深く理解されるであろう。
These and other aspects of the invention will be better understood in view of the preferred embodiments, described in greater detail below.
特許公表２００５－５０３０００
WO02065517より引用
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In another preferred embodiment, a method for reducing the number of steps in a semiconductor device manufacturing process is provided, comprising: identifying a semiconductor device manufacturing process that comprises (a) depositing a first silicon-containing film onto a non-epitaxial surface using a first silicon source and, in a separate step, (b) depositing a second silicon-containing film onto an epitaxial surface using a second silicon source; wherein the first silicon source and the second silicon source are each individually selected from the group consisting of silane, disilane, dichlorosilane, trichlorosilane and silicon tetrachloride ; and modifying the semiconductor device manufacturing process by replacing the first silicon source and the second silicon source with trisilane and simultaneously depositing a third silicon containing film onto the epitaxial surface and the non-epitaxial surface in the same step.
特許公表２００５－５０３０００
WO02065517より引用
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本発明に係るヘテロ接合バイポーラトランジスタ（ＨＢＴ）用のベース構造の製造方法は、活性領域と絶縁体を含む基板の表面を準備するステップと、前記活性領域及び前記絶縁体のそれぞれに、直接前記基板にＳｉ含有フィルムを形成するのに有効な条件で、前記基板面に、トリシランを供給することを特徴としている。
In another aspect of the invention, a method for making a base structure for a heterojunction bioplar transistor (HBT) is provided, comprising: providing a substrate surface comprising an active area and an insulator; and supplying trisilane to the substrate surface under conditions effective to deposit a Si containing film onto the substrate directly onto each of the active area and the insulator.
特許公表２００５－５０３０００
WO02065517より引用
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本発明に係る高速成膜方法の要旨は、化学気相成長条件下で、混合基板の表面に、混合基板面１ｃｍ2当たりに、少なくとも約０．００１ｍｇ／分の供給速度で、トリシランを供給するステップと、前記混合基板の表面に、約１０Å以上の速度で、Ｓｉ含有材料を成膜することを特徴としている。
In accordance with another aspect of the invention, a high-rate deposition method is provided, comprising: delivering trisilane to a mixed substrate surface under chemical vapor deposition conditions, at a delivery rate of at least about 0.001 milligrams per minute per square centimeter of the mixed substrate surface, and depositing a silicon-containing material onto the mixed substrate surface at a rate of about 10A per minute or greater.
特許公表２００５－５０３０００
WO02065517より引用
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本発明に係る一つの成膜方法の要旨は、第１の表面形態を有する第１の面と、前記第１の表面形態とは異なる第２の表面形態を有する第２の面を備えた基板を準備し、成膜される前記基板を反応容器内に配置するステップと、化学気相成長条件下で、前記反応容器内にトリシランを導入するステップと、前記基板における前記第１の面及び前記第２の面に、Ｓｉ含有フィルムを成膜するステップとを含むことを特徴としている。
In accordance with one aspect of the invention, a deposition method is provided, comprising: providing a substrate disposed within a chamber, wherein the substrate comprises a first surface having a first surface morphology and a second surface having a second surface morphology different from the first surface morphology; introducing trisilane to the chamber under chemical vapor deposition conditions; and depositing a Si-containing film onto the substrate over both of the first surface and the second surface.
特許公表２００５－５０３０００
WO02065517より引用
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【発明の開示】
【０００９】
様々な基板上に高品質のＳｉ含有フィルムを成膜するために、トリシランを用いる方法を開発した。
Summary of the Invention [0009] Methods have now been discovered that utilize trisilane to deposit high quality Sicontaining films over a variety of substrates.
特許公表２００５－５０３０００
WO02065517より引用
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しかし、プロセスの付加的なステップは、コストアップ、汚染及び／又は複雑化の原因となるので、一般的には望ましくない。
However, additional process steps are generally undesirable because they may increase expense, contaminationand/or complication.
特許公表２００５－５０３０００
WO02065517より引用
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この付加的なステップに関する上記の目的は、後続の成膜プロセスに対して同じ面を現出させることである。
The stated purpose of this additional step is to make the surfaces appear the same to a subsequent deposition process.
特許公表２００５－５０３０００
WO02065517より引用
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また、第６，２３５，５６８号には、低いエネルギで全体にイオン注入する事前成膜ステップを行うことによって、この問題の解決を行うことが記載されている。
U. S. 6,235,568 purports to provide a solution to this problem by carrying out a predeposition low energy blanket ion implantation step.
特許公表２００５－５０３０００
WO02065517より引用
＊purport
vt.
1a [to be を伴って] 〈書類などが〉…という意味であるように思われる, …とされている, …と称する, 主張する (claim).
･a letter purporting to be written by you [to contain your decision] 君が書いた[君の決意を記してある]と称する手紙.
b [しばしば that-clause を伴って] 〈書類･演説などが〉意味する (imply), 伝える (convey), …が主旨である.
･His answer purports his sickness [that he was sick]. 返答の意味は彼が病気だ[病気だった]ということだ.
（研究社 新英和大辞典より引用）
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例えば、米国特許第６，２３５，５６８号には、それらのあるものは、現在では、ｐタイプとｎタイプのシリコン表面に同時にシリコンフィルムを選択的に成長させることはできないと記載されている。
For example, U.S. Patent No. 6,235,568 notes that one is presently unable to selectively deposit a silicon film onto p-type and n-type silicon surfaces at the same time.
特許公表２００５－５０３０００
WO02065517より引用
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従来、製造者は、選択的な膜成長、付加的なマスキング及び／又はプロセスのステップを用いることによって、上記の問題に取り組んできた。
In the past, manufacturers have approached such problems through the use of selective deposition or additional maskingand/or process steps.
特許公表２００５－５０３０００
WO02065517より引
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言い換えれば、必要とされる厚さと形態によって、フィルムの成膜条件が決定される。これは、特に、単結晶シリコン基板の上で歪みを生じるヘテロエピタキシャルフィルムの場合に該当する。
The needed thickness and morphology, in turn, dictate the deposition conditions for the film. This is especially the case for heteroepitaxial films that are strained on single crystal silicon substrates.
特許公表２００５－５０３０００
WO02065517より引用
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多くの場合、製品の半導体デバイスに関する目標の性能特性（動作特性）に応じて、エピタキシャル面に形成されるＳｉ含有フィルムの厚さ、形態、成膜温度及び許容可能な成長速度が決定される。
In many cases, the desired performance characteristics of the resulting semiconductor device dictate the thickness, morphology, temperature of deposition and allowable deposition rate of the Si-containing film that is deposited over the epitaxial surface.
特許公表２００５－５０３０００
WO02065517より引用
3 [transitive] to control or influence something [= determine]
*dictate what/how etc
Funds dictate what we can do.
*dictate that
The laws of physics dictate that what goes up must come down.
The massive publicity dictated a response from the city government.
（LDOCEより引用）
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理論的には、成膜パラメータは、酸化物の表面へのフィルム形成を向上させるように調整される必要がある。しかし、実際には、そのような調整手段は、所定のエピタキシャルフィルムの品質に悪影響を及ぼす可能性があるので、ほとんど選択されない。
In theory, the deposition parameters could be adjusted to improve the film formation over the oxide surface, but in practice this is rarely an option because such an adjustment would be likely to negatively impact the desired epitaxial film quality.
特許公表２００５－５０３０００
WO02065517より引用
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すなわち、別のケース、例えば、エピタキシャル領域への後のコンタクトを容易にする場合には、シリコン酸化物面１１０上のシリコンのよりよい成長が望まれる。
in other cases, better deposition of silicon over the oxide surface 110 is desired, e. g., to facilitate later contact to the epitaxial region.
特許公表２００５－５０３０００
WO02065517より引用
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上記の「選択的な」エピタキシャル成長が好ましい場合がある（図１Ｂ）。
Often, the illustrated "selective" epitaxial deposition is desired (Figure 1 B);
特許公表２００５－５０３０００
WO02065517より引用
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さらに、広く分散した核生成サイトが、表面が露出したまま残っている領域の間の成膜を助長するので、絶縁体上では成膜が粗くなる傾向がある。
Furthermore, deposition tends to be rough over the dielectric since widely spreadnucleation sites support deposition while regions between remain bare.
特許公表２００５－５０３０００
WO02065517より引用
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酸化物上での時間的にむらのある核生成サイトの集合によって、隣接する非絶縁体領域における成膜が著しく進行する。
By the time spottynucleation sites converge on the oxide, deposition over adjacent nondielectric regions has progressed considerably.
特許公表２００５－５０３０００
WO02065517より引用
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従来のシリコン前駆体は、既に実証されているように、シリコン酸化物などの絶縁体上には核生成しにくいことが裏付けられている。
Conventional silicon precursors demonstrate well-documented poornucleation over dielectrics, such as silicon oxide.
特許公表２００５－５０３０００
WO02065517より引用
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