が好ましい preferably #03

半導体基板３２０は、単結晶のウェーハ（又はウェーハなどに成膜されたエピタキシャルシリコン層）であることが好ましく、フィールド分離領域３１０は、シリコン酸化物であることが好ましい。

Preferably, the semiconductor substrate 320 is a single crystal wafer, (or an epitaxial silicon layer deposited over such a wafer) and the isolation regions 310 are silicon dioxide.

特許公表２００５－５０３０００
WO02065517より引用