taught herein

ここに示されているＣＶＤ法によれば、混合基板の表面にトリシランを供給すると、Ｓｉ含有フィルムが形成される。

Under the CVD conditions taught herein, the delivery of trisilane to the surface of a mixed substrate results in the formation of a Si-containing film.

特許公表２００５－５０３０００
WO02065517より引用