be delivered to

ゲルマニウム源も、Ｓｉ含有材料のように、ＳｉＧｅ含有材料を成膜するために、基板の表面にトリシランとともに供給するのがよい。

Preferably, a germanium source is also delivered to the surface along with the trisilane to thereby deposit a SiGe-containing material as the Si-containing material.

特許公表２００５－５０３０００
WO02065517より引用