be deposited over

この成膜温度で、エピタキシャル領域２６０が、単結晶面２２０に形成され、非晶質シリコン領域（非エピタキシャル領域）２４０が、非晶質面２３０に形成される。

At this deposition temperature, an epitaxial region 260 is deposited over the single crystal surface 220 and an amorphous silicon region 240 is deposited over the amorphous surface 230.

特許公表２００５－５０３０００
WO02065517より引用