having＋PPで始まる文

単結晶面２２０をエピタキシャル成長に適するように処理した後、約５７５℃の温度で、単結晶面２２０と非晶質面（絶縁体面）２３０にトリシランを供給することによって、混合形態のシリコンのフィルム２１０を成膜する。

Having rendered the single crystal surface 220 an active area suitable for epitaxial deposition, the mixed-morphology silicon film 210 is then deposited at a temperature of about575 C by deliveringtrisilane to the single crystal surface220 and to the amorphous surface 230.

特許公表２００５－５０３０００
WO02065517より引用