特許の英語（特許翻訳分野）

overlying film

図２Ｂに示したバッファ層（フィルム）２１０を説明するために、混合基板（図２Ａに示したように、単結晶シリコン面と非晶質酸化物面を有している）上の上層のフィルム２８０の成膜には、単結晶面２２０に欠陥の少ない単結晶を成長させるのに好ましい条件、すなわち、約６５０℃以下（例えば、図１Ｂとその説明を参照）という温度条件下では、酸化物面２３０上に核生成させることが難しいという問題があると仮定する。

For the purpose of describing the buffer layer 210 in Figure 2B, it is assumed that the deposition of the overlying film 280 onto the mixed substrate (having a single crystal silicon surface 220 and an amorphous oxide surface 230 as shown in Figure 2A) is problematic because nucleation on the oxide surface 230 is difficult under conditions that favor low-defectivity single crystal growth over the single crystal surface 220 at temperatures of about 650 C and below (see, e. g., Figure 1B and the discussion above).

特許公表２００５－５０３０００
WO02065517より引用

illustrated embodiment #02

図示した例では、フィルム２８０は、ＳｉＧｅ、ＳｉＧｅＣなどのＳｉとＧｅを含有する（「ＳｉＧｅ含有」）材料である。

In the illustrated embodiment, the film 280 is a silicon germanium-containing ("SiGe-containing") material such as SiGe or SiGeC.

特許公表２００５－５０３０００
WO02065517より引用

e.g. たとえば

上記の厚さの範囲は、混合基板全体、すなわち、結晶質と非晶質の両方の表面上におけるフィルムの厚さを意味する。

The thickness ranges described above refer to deposition over the entire mixed substrate, e. g., over both the crystalline and amorphous surfaces.

特許公表２００５－５０３０００
WO02065517より引用

＊e.g.  (exempli gratia)
for example とも読む.
（研究社　新英和中辞典より引用）

in this context このような関係[状況]において(は)

（研究社　新英和中辞典より引用）

言い換えると、「バッファ層」は、後に続く層の成長を容易にするか、又は下の層を保護する目的のために、基板上に形成されるＳｉ含有フィルムということになる。

In this context, a "buffer layer" is a Si-containing film that is deposited onto a substrate for the purpose of facilitating the deposition of a subsequent layer or protecting an underlying layer.

特許公表２００５－５０３０００
WO02065517より引用

…の厚さを有する

好ましい実施の形態では、Ｓｉ含有フィルムは、約１，０００Å以下、好ましくは約１０～約５００Å、さらに好ましくは約５０～約３００Åの範囲の厚さを有するバッファ層である。

In a preferred embodiment, the Si-containing film is a buffer layer having a thickness of about 1,000A or less, preferably a thickness in the range of about 10A to about 500A, more preferably in the range of about 50A to about 300A.

特許公表２００５－５０３０００
WO02065517より引用

on a broad variety of

このように、好ましい成膜条件では、核生成時間が、大きく相違する表面がある時でも大幅に短縮される傾向があり、Ｔ1：Ｔ2が、好ましいことに約１：１になる。

Thus, under preferred deposition conditions, thenucleation time tends to be very short on a broad variety of surfaces, and T1:T2 is preferably about 1:1.

特許公表２００５－５０３０００
WO02065517より引用

as compared to

さらに特筆されるのは、トリシランが、従来のシリコン前駆体比べて、絶縁体表面に、速やかな核生成と滑らかなフィルム形成を可能にすることである。

More particularly, trisilane enables rapidnucleation and smooth film formation over dielectric surfaces, as compared to conventional silicon precursors.

特許公表２００５－５０３０００
WO02065517より引用

relatively independent of

ここに、開示されているＣＶＤ条件によるトリシランの成膜は、驚くことに、ほぼ成膜時間に比例し、下層の表面形態にはあまり依存しない厚さを有するＳｉ含有フィルムが形成される傾向がある。

Surprisingly, trisilane deposition under the CVD conditions described herein tends to produce a Si-containing film having a thickness that is approximately proportional to deposition time and relatively independent of underlying surface morphology.

特許公表２００５－５０３０００
WO02065517より引用

カンマ＋depending on #03

特定の表面のフィルムの厚さは、用途に応じて、約１０Å～約１０μｍ又はそれ以上の範囲とすることができる。

Film thickness over a particular surface can range from about 10A to about 10 microns or even more, depending on the application.

特許公表２００５－５０３０００
WO02065517より引用

be preferably delivered to

トリシランは、所定時間、目標の厚さを有するＳｉ含有フィルムを形成するのに効果的な供給速度で、混合基板表面に供給することが好ましい。

Trisilane is preferably delivered to the mixed substrate surface for a period of time and at a delivery rate that is effective to form a Si-containing film having the desired thickness.

特許公表２００５－５０３０００
WO02065517より引用

non-coplanar

表面２２０と２３０は、同一面に模式的に図示されているが、開示した成膜方法は、異なった表面が同一面にはない混合基板に対しても適用することができる。
Although the surfaces 220 and 230 are schematically illustrated as coplanar, the disclosed deposition methods are also applicable to mixed substrates in which the different surfaces are non-coplanar.

特許公表２００５－５０３０００
WO02065517より引用

be deposited over

この成膜温度で、エピタキシャル領域２６０が、単結晶面２２０に形成され、非晶質シリコン領域（非エピタキシャル領域）２４０が、非晶質面２３０に形成される。

At this deposition temperature, an epitaxial region 260 is deposited over the single crystal surface 220 and an amorphous silicon region 240 is deposited over the amorphous surface 230.

特許公表２００５－５０３０００
WO02065517より引用

having＋PPで始まる文

単結晶面２２０をエピタキシャル成長に適するように処理した後、約５７５℃の温度で、単結晶面２２０と非晶質面（絶縁体面）２３０にトリシランを供給することによって、混合形態のシリコンのフィルム２１０を成膜する。

Having rendered the single crystal surface 220 an active area suitable for epitaxial deposition, the mixed-morphology silicon film 210 is then deposited at a temperature of about575 C by deliveringtrisilane to the single crystal surface220 and to the amorphous surface 230.

特許公表２００５－５０３０００
WO02065517より引用

カンマ＋動詞のingや過去分詞

図２Ａに示した実施の形態の場合には、単結晶面２２０は、生成している酸化物を除去するために、フッ化水素酸（ＨＦ）でエッチングし、超純水で洗浄し、超高純度の不活性ガス雰囲気で乾燥し、続いて超高純度の水素ガスを流しながらベ－キングすることによって、エピタキシャル成長しやすいように、表面が事前に処理されていたものである（図２Ａには図示されていない）。

In the illustrated embodiment shown in Figure 2A, the single crystal surface 220 was previously prepared (not shown in Figure 2A) for epitaxial deposition by etching with HF acid to remove the native oxide, rinsing with ultra-pure water and drying under an ultra-pure inert gas, followed by baking under a flow of ultra-pure hydrogen gas.

特許公表２００５－５０３０００
WO02065517より引用

while 一方

また、非晶質のフィルムは、低い温度の非晶質及び多結晶の基板表面に形成されやすい。一方、多結晶フィルムは、比較的高い成膜温度で、非晶質及び多結晶の表面に形成される傾向がある。

Amorphous film formation is favored over amorphous and polycrystalline substrate surfaces at low temperatures, while polycrystalline films tend to form over amorphous and polycrystalline surfaces at relatively high deposition temperatures.

特許公表２００５－５０３０００
WO02065517より引用

enable + NOUN #02

多結晶と非晶質のフィルムは、非晶質の表面、多結晶の表面及びエピタキシャルフィルムの成長を可能にするように処理されていない単結晶の表面に形成される。

Polycrystalline and amorphous film formation is favored over amorphous and polycrystalline surfaces and over single crystal surfaces that have not been treated to enable epitaxial film growth.

特許公表２００５－５０３０００
WO02065517より引用

引用文献の表現 #02

そのような処理方法は、本発明が属する技術分野の技術者によく知られている（参照：Peter Van Zant, "Microchip Fabrication," 4th Ed., McGraw Hill, New York, (2000), pp.385）。

Such treatment methods are known to those skilled in the art, see Peter Van Zant,"MicrochipFabrication,"4th Ed., McGraw Hill, New York, (2000), pp. 385.

特許公表２００５－５０３０００
WO02065517より引用

pseudomorphic

エピタキシャルフィルムは、下層の単結晶面が、あらゆる酸化層を"ex situ"で湿式エッチングし、続いて"in situ"で洗浄及び／又は水素ベーク処理を行うことによって適切に処理されている場合、及び膜成長条件が、そのようなフィルムの成長をサポートしている場合に、シュード形態の構造を形成することのできるＳｉ含有材料に形成されやい。

Epitaxial film formation is favored for silicon-containing materials capable of forming pseudomorphic structures when the underlying single crystal surface has been properly treated, e. g., by ex-situ wet etching of any oxide layers followed by in situ cleaning and/or hydrogen bake steps, and when the growth conditions support such film growth.

特許公表２００５－５０３０００
WO02065517より引用

を用いると

トリシランを用いると、Ｓｉ含有材料が単結晶フィルムを形成する可能性は、適切に前処理された単結晶面に形成される傾向が強い。

Using trisilane, silicon-containing materials capable of forming single crystal films tend to form over properly prepared single crystal surfaces, whereas non-single crystal films tend to form over non-single crystalline surfaces.

特許公表２００５－５０３０００
WO02065517より引用

mixed-morphology

１つの好ましい実施の形態の場合には、混合形態のＳｉ含有フィルムを、混合基板上に成膜する。

In a preferred embodiment, a mixed-morphology Si-containing film is deposited onto the mixed substrate.

特許公表２００５－５０３０００
WO02065517より引用

be delivered to

ゲルマニウム源も、Ｓｉ含有材料のように、ＳｉＧｅ含有材料を成膜するために、基板の表面にトリシランとともに供給するのがよい。

Preferably, a germanium source is also delivered to the surface along with the trisilane to thereby deposit a SiGe-containing material as the Si-containing material.

特許公表２００５－５０３０００
WO02065517より引用

embodiment provides -- #02

好ましい実施の形態は、トリシランを混合基板に供給する、速い成膜速度による方法であり、その場合の供給速度は、基板１ｃｍ2に対して、少なくとも約０．００１ｍｇｆ／分、より好ましくは少なくとも約０．００３ｍｇｆ／分である。

A preferred embodiment provides a high rate deposition method in which trisilane is delivered to the mixed substrate surface at a delivery rate of at least about0. 001 milligram per minute per square centimeter of the substrate surface, more preferably at least about 0.003 milligram per minute per square centimeter of the substrate surface.

特許公表２００５－５０３０００
WO02065517より引用

…のがよい be preferably

ここで説明するＳｉ含有フィルムの成膜は、約５Å／分以上、より好ましくは約１０Å／分以上、さらに好ましくは約２０Å／分以上の速度で行うのがよい。

Deposition of the Si-containing films described herein is preferably conducted at a rate of about 5A per minute or higher, more preferably about 10A per minute or higher, most preferably about 20A per minute or higher.

特許公表２００５－５０３０００
WO02065517より引用

リットル／分

好ましいＥｐｓｉｌｏｎTMシリーズ反応器により成膜を行う際の全流量の１例は、標準状態で、約２０～約１８０リットル／分のことが多いので、そのような条件で用いられるドーパントの前駆体の濃度は、全流量に比べると少ない。

Since typical total flow rates for deposition in the preferred Epsilon series reactors often range from about 20 standard liters per minute (sim) to about 180sim, the concentration of the dopant precursor used in such a method is small relative to total flow.

特許公表２００５－５０３０００
WO02065517より引用

希釈する dilute

その希薄な混合物は、トリシラン又はその他の適当なキャリアガスを混合することによって、さらに希釈することが好ましい。

The dilute mixture is preferably further diluted by mixing with trisilane and any suitable carrier gas.

特許公表２００５－５０３０００
WO02065517より引用

範囲 range from A to B

好ましいＥｐｓｉｌｏｎTMシリーズの単結晶ウェーハ反応器では、キャリアガス中のドーパント前駆体の希薄な混合物が、目標のドーパント濃度及びドーパントガス濃度に応じて、約１０～約２００ｓｃｃｍの範囲のセットポイントに調整されたマスフローコントローラを介して、反応器に送られる。

In the preferred Epsilon series of single wafer reactors, dilute mixtures of dopant precursor in a carrier gas can be delivered to the reactor via a mass flow controller with set points ranging from about 10 to about 200 standard cubic centimeters per minute (sccm), depending on desired dopant concentration and dopant gas concentration.

特許公表２００５－５０３０００
WO02065517より引用

質量％

導入ガス中の濃度の１例は、全導入ガスの質量に対して、約１ｐｐｂ～約１質量％の範囲である。ただし、所定の特性を有するフィルムを得るために、より多くの量又はより少ない量が好ましいこともある。

Typical concentrations in the feed gas can be in the range of about 1 part per billion (ppb) to about 1% by weight based on total feed gas weight, although higher or lower amounts are sometimes preferred in order to achieve the desired property in the resulting film.

特許公表２００５－５０３０００
WO02065517より引用

所定の desired

導入ガス中のドーパントの前駆体の量は、Ｓｉ含有フィルム中のドーパントが所定のレベルになるように調節する。

The amount of dopant precursor in the feed gas may be adjusted to provide the desired level of dopant in the Si-containing film.

特許公表２００５－５０３０００
WO02065517より引用

per se

例えば、"ＳｉＧｅ"は、シリコンとゲルマニウムと必要に応じて含まれるドーパントのような元素で構成された材料である。また、"ＳｉＣ"、"ＳｉＧｅ"及び"ＳｉＧｅＣ"は、化学量論式を表すものではなく、示された元素を特定の割合で含む材料に限定されるものではない。

For example,"SiGe"is a material that comprises silicon, germanium and, optionally, other elements, e. g., dopants."SiC","SiGe",and"SiGeC"are not chemical stoichiometric formulas per se and thus are not limited to materials that contain particular ratios of the indicated elements.

＊per se
adv. 自ら, それ自体が[で], 本質的に
（研究社　新英和大辞典より引用）

特許公表２００５－５０３０００
WO02065517より引用

様々な割合で

ここで使われる"ＳｉＣ"、"ＳｉＧｅ"及び"ＳｉＧｅＣ"は、様々な割合で示された元素を含む材料を表している。

As used herein,"SiC","SiGe", and"SiGeC"represent materials that contain the indicated elements in various proportions.

特許公表２００５－５０３０００
WO02065517より引用

dopedの前にハイフンが続く例

そのようなドーパントの前駆体は、以下に説明するように、好ましいフィルム、特に、ボロン、燐、アンチモン、インジウム及びヒ素がドープされたシリコン、ＳｉＣ、ＳｉＧｅ及びＳｉＧｅＣのフィルムや合金の前処理に有用である。

Such dopant precursors are useful for the preparation of preferred films as described below, preferably boron-, phosphorous-, antimony-, indium-, and arsenic-doped silicon, SiC, SiGe and SiGeC films and alloys.

特許公表２００５－５０３０００
WO02065517より引用

preferred 好ましい

シリルホスフィン［（Ｈ3Ｓｉ）3-XＰＲX］及びシリルアルシン［（Ｈ3Ｓｉ）3-XＡｓＲX］（ただし、Ｘ＝０～２、ＲX＝Ｈ及び／又はＤ）は、燐やヒ素のドーパントとして、好ましい前駆体である。ＳｂＨ3及びトリメチルインジウムは、それぞれアンチモン、インジウムの原料として好ましいものである。

Silylphosphines[(H3Si) 3xPRx] and silylarsines[(H3Si) 3xAsRx] where x = 0-2 andRx = H and/or D are preferred precursors for phosphorous and arsenic dopants. SbH3 and trimethylindium are preferred sources of antimony and indium, respectively.

特許公表２００５－５０３０００
WO02065517より引用

include がある

電気的なドーパント用の前駆体には、ジボラン、重水素化ジボラン、ホスフィン、ヒ素蒸気及びヒ化水素（アルシン）がある。

Precursors for electrical dopants include diborane, deuterated diborane, phosphine, arsenic vapor, and arsine.

特許公表２００５－５０３０００
WO02065517より引用

be preferably が好ましい

トリシランを用いるＣＶＤ法によるＳｉ含有フィルムへのドーパントの注入は、ドーパントの前駆体を用いる"in situ"ドーピングによって実施するのが好ましい。

Incorporation of dopants into Si-containing films by CVD using trisilane is preferably accomplished by in situ doping using dopant precursors.

特許公表２００５－５０３０００
WO02065517より引用

include: で整理している文章 #02

そのような原料の代表的な例には、シラン源としてのシラン、ジシラン、テトラシラン、ゲルマニウム源としてのゲルマン、ジゲルマン及びトリゲルマン、窒素源としてのＮＦ3、アンモニア、ヒドラジン及びアトミック窒素、炭素源としてのメタン、エタン、プロパンなどの様々な炭化水素、炭素とシリコンの両方の原料としてのテトラシリルメタン、窒素と酸素の両方の原料としてのＮ2Ｏ及びＮＯ2、アンチモン、ヒ素、ボロン、ガリウム、インジウム及び燐などのドーパント原料としての様々なドーパント前駆体などがある。

Specific examples of such sources include: silane, disilane and tetrasilane as silicon sources; germane, digermane and trigermane as germanium sources; NF3, ammonia, hydrazine and atomic nitrogen as nitrogen sources; various hydrocarbons, e. g., methane, ethane, propane, etc. as carbon sources; monosilylmethane, disilylmethane, trisilylmethane, andtetrasilylmethane as sources of both carbon and silicon ;Na0 andNO2 as sources of both nitrogen and oxygen; and various dopant precursors as sources of dopants such as antimony, arsenic, boron, gallium, indium and phosphorous.

特許公表２００５－５０３０００
WO02065517より引用

as desired 必要に応じて

導入ガスは、Ｓｉ含有フィルムをドーピング又は合金化するのに有効であることが、この技術分野の技術者に知られているその他の材料を、必要に応じて含んでいてもよい。

The feed gas may also contain other materials known by those skilled in the art to be useful for doping or alloying Si-containing films, as desired.

特許公表２００５－５０３０００
WO02065517より引用

may be conducted

ＣＶＤは、反応室にプラズマ生成物を導入（in situ又はリモートタイプのプラズマ生成器の下流）することによって実施することができる。

CVD may be conducted by introducing plasma products (in situ or downstream of a remote plasma generator) to the chamber, but thermal CVD is preferred.

特許公表２００５－５０３０００
WO02065517より引用

カンマ＋動詞のing形 #05

(--, employing)

ここに開示されている方法は、シャワーヘッド配置のようなオルタネイティブリアクタ(Alternative Reactor)を採用して実施することができるが、均一性の向上や成膜速度の増加という優位点は、特にプロセスガスの滞留時間が短く、回転する基板を用いる、水平型で、シングルパスの厚さが薄いガスフロー配置の"ＥｐｓｉｌｏｎTM反応器"により、特に効果的であることが認められてきている。

While the methods described herein can also be employed in alternative reactors, such as a showerhead arrangement, benefits in increased uniformity and deposition rates have been found particularly effective in the horizontal, singlepass laminar gas flow arrangement of the Epsilon chambers, employing a rotating substrate, particularly with low process gas residence times.

特許公表２００５－５０３０００
WO02065517より引用

好適な suitable

このタイプのＣＶＤに適する反応器は市販されており、好適なモデルには、アリゾナ州フェニックスにあるＡＳＭアメリカインコーポレイテッドから市販されている、"ＥｐｓｉｌｏｎTMシリーズ"のシングルウェーハリアクタがある。

Suitable reactors of this type are commercially available, and preferred models include the Epsilon series of single wafer reactors commercially available from ASM America, Inc. of Phoenix, Arizona.

特許公表２００５－５０３０００
WO02065517より引用

illustrated embodiment

説明した実施の形態では、ＣＶＤ反応室内のガスの流れは水平であり、もっとも好ましいのは、反応室は、１つのウェーハ、１回パス、厚さの薄い水平なガスフロー反応器である。また、加熱は光輝加熱が好ましい。

In the illustrated embodiments, the gas flow in the CVD chamber is horizontal, most preferably the chamber is a single-wafer, single pass, laminar horizontal gas flow reactor, preferably radiantly heated.

特許公表２００５－５０３０００
WO02065517より引用

するのがよい

ＣＶＤ反応室への導入ガスの供給には、適当なマニフォールドを用いるのがよい。

A suitable manifold may be used to supply feed gas (es) to the CVD chamber.

特許公表２００５－５０３０００
WO02065517より引用

好ましくは preferably #06

トリシランは、トリシラン蒸気を含むキャリアガスとともに用いられるバグリング器、好ましくは温度コントロールされたバブリング器を介して反応室に導入することが好ましい。

Preferably, trisilane is introduced to the chamber by way of a bubbler used with a carrier gas to entrain trisilane vapor, more preferably a temperature controlled bubbler.

特許公表２００５－５０３０００
WO02065517より引用

described herein

水素ガスと窒素ガスは、ここに説明する方法にとって、好ましいキャリアガスである。

Hydrogen and nitrogen are preferred carrier gases for the methods described herein.

特許公表２００５－５０３０００
WO02065517より引用

canの訳し方の一例

導入ガスは、不活性のキャリアガスのようなトリシラン以外のガスを含んでいてもよい。

The feed gas can include a gas or gases other than trisilane, such as inert carrier gases.

特許公表２００５－５０３０００
WO02065517より引用

さらに好ましい -- もっとも好ましい

ＣＶＤ反応室の全圧は、約０．００１～約１０００torr（約０．１３～約１．３×１０5Pa）の範囲が好ましく、さらに好ましいのは約０．１～約８５０torr（約１３～約１．１×１０5Pa）、もっとも好ましいのは約１～７６０torr（約１．３×１０2～約１．０×１０5Pa）である。

The total pressure in the CVD chamber is preferably in the range of about 0.001 torr to about 1000 torr, more preferably in the range of about 0.1 torr to about 850 torr, most preferably in the range of about 1 torr to about 760 torr.

特許公表２００５－５０３０００
WO02065517より引用

構成成分

トリシランは、ガス状又は導入ガスの構成成分として、反応室に導入することが好ましい。

Trisilane is preferably introduced to the chamber in the form of a gas or as a component of a feed gas.

特許公表２００５－５０３０００
WO02065517より引用

depend on #02

このような好ましい成膜温度は、製品の目標の用途に応じて定まる。しかし、その温度は、例えば、約４００～約７５０℃、好ましくは約４２５～約７２５℃、さらに好ましくは約４５０～約７００℃の範囲とするのがよい。

Preferred deposition temperatures thus depend on the desired application, but are typically in the range of about400 C to about750 C, preferably about425 C to about725 C, more preferably about450 C to about700 C.

特許公表２００５－５０３０００
WO02065517より引用

考慮する、考慮に入れる

なお、本技術分野に係る技術者であれば、熱費の維持、成膜速度などの製造現場の実態を考慮して、これらの温度の範囲を調節することができる。

Those skilled in the art can adjust these temperature ranges to take into account the realities of actual manufacturing, e. g., preservation of thermal budget, deposition rate, etc.

特許公表２００５－５０３０００
WO02065517より引用

take account of…＝take…into account
…を考慮に入れる
（研究社　新英和中辞典より引用）

本技術分野

基板の加熱は、本技術分野で知られているいくつかの方法によって行うことができる。

The substrate can be heated by a variety of manners known in the art.

特許公表２００５－５０３０００
WO02065517より引用

さらに好ましくは約７００℃以下で

また、約７５０℃以下、好ましくは約７２５℃以下、さらに好ましくは約７００℃以下で成膜するのがよい。

Preferably, deposition takes place at a temperature of about750 C or less, more preferably about725 C or less, most preferably about700 C or less.

特許公表２００５－５０３０００
WO02065517より引用

さらに好ましくは約５００℃以上

熱ＣＶＤ法は、基板温度約４００℃以上、好ましくは約４５０℃以上、さらに好ましくは約５００℃以上で行うのがよい。

Thermal CVD is preferably conducted at a substrate temperature of about 400 C or greater, more preferably about450 C or greater, even more preferably about500 C or greater.

特許公表２００５－５０３０００
WO02065517より引用

by --ing xxx, --ing yyy

以下に説明する方法は、ＣＶＤ反応室内に配置された混合基板上に、ガス状のトリシランを使用してＳｉ含有フィルムを成膜する、プラズマ励起化学気相成長（ＰＥＣＶＤ）法、熱ＣＶＤ法などのＣＶＤ法を用いることによって、適切に実施することができる。これらの方法の中でも、熱ＣＶＤ法が好ましい。

The disclosed methods may be suitably practiced by employing CVD, including plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) or thermal CVD, utilizing gaseous trisilane to deposit a Si-containing film onto a mixed substrate contained within a CVD chamber. Thermal CVD is preferred.

特許公表２００５－５０３０００
WO02065517より引用

those skilled in the art

本技術に係る技術者によく知られているいくつかのＣＶＤ法に従って成膜することができる。しかし、以下に述べるＣＶＤ法に従って成膜を行う場合に、最高の優位性が得られる。

Deposition may be suitably conducted according to the various CVD methods known to those skilled in the art, but the greatest benefits are obtained when deposition is conducted according to the CVD methods taught herein.

特許公表２００５－５０３０００
WO02065517より引用

＊those skilled in the art
「当業者」の訳がよく見られる。

be deposited onto

反応室のＣＶＤ条件を確立し、混合基板の表面にトリシランを供給することによって、様々なタイプの表面を有する混合基板に、高品質のＳｉ含有フィルムを形成することができる。

By establishing CVD conditions in the chamber and supplying trisilane to the mixed substrate surface, a high quality Si-containing film can be deposited onto the mixed substrate over the various surface types.

特許公表２００５－５０３０００
WO02065517より引用

therein #02

ミックス又はパターン化された基板表面へのトリシランの供給は、表面が露出した状態の混合基板が配置された適当な反応室に、トリシランを導入することによって実施することが好ましい。

Preferably, delivery of the trisilane to the mixed or patterned substrate surface is accomplished by introducing the trisilane to a suitable chamber having the mixed substrate disposed therein.

特許公表２００５－５０３０００
WO02065517より引用