カンマ＋動詞のingや過去分詞

図２Ａに示した実施の形態の場合には、単結晶面２２０は、生成している酸化物を除去するために、フッ化水素酸（ＨＦ）でエッチングし、超純水で洗浄し、超高純度の不活性ガス雰囲気で乾燥し、続いて超高純度の水素ガスを流しながらベ－キングすることによって、エピタキシャル成長しやすいように、表面が事前に処理されていたものである（図２Ａには図示されていない）。

In the illustrated embodiment shown in Figure 2A, the single crystal surface 220 was previously prepared (not shown in Figure 2A) for epitaxial deposition by etching with HF acid to remove the native oxide, rinsing with ultra-pure water and drying under an ultra-pure inert gas, followed by baking under a flow of ultra-pure hydrogen gas.

特許公表２００５－５０３０００
WO02065517より引用