overlying film

図２Ｂに示したバッファ層（フィルム）２１０を説明するために、混合基板（図２Ａに示したように、単結晶シリコン面と非晶質酸化物面を有している）上の上層のフィルム２８０の成膜には、単結晶面２２０に欠陥の少ない単結晶を成長させるのに好ましい条件、すなわち、約６５０℃以下（例えば、図１Ｂとその説明を参照）という温度条件下では、酸化物面２３０上に核生成させることが難しいという問題があると仮定する。

For the purpose of describing the buffer layer 210 in Figure 2B, it is assumed that the deposition of the overlying film 280 onto the mixed substrate (having a single crystal silicon surface 220 and an amorphous oxide surface 230 as shown in Figure 2A) is problematic because nucleation on the oxide surface 230 is difficult under conditions that favor low-defectivity single crystal growth over the single crystal surface 220 at temperatures of about 650 C and below (see, e. g., Figure 1B and the discussion above).

特許公表２００５－５０３０００
WO02065517より引用