…の厚さを有する

好ましい実施の形態では、Ｓｉ含有フィルムは、約１，０００Å以下、好ましくは約１０～約５００Å、さらに好ましくは約５０～約３００Åの範囲の厚さを有するバッファ層である。

In a preferred embodiment, the Si-containing film is a buffer layer having a thickness of about 1,000A or less, preferably a thickness in the range of about 10A to about 500A, more preferably in the range of about 50A to about 300A.

特許公表２００５－５０３０００
WO02065517より引用