を用いると

トリシランを用いると、Ｓｉ含有材料が単結晶フィルムを形成する可能性は、適切に前処理された単結晶面に形成される傾向が強い。

Using trisilane, silicon-containing materials capable of forming single crystal films tend to form over properly prepared single crystal surfaces, whereas non-single crystal films tend to form over non-single crystalline surfaces.

特許公表２００５－５０３０００
WO02065517より引用