pseudomorphic

エピタキシャルフィルムは、下層の単結晶面が、あらゆる酸化層を"ex situ"で湿式エッチングし、続いて"in situ"で洗浄及び／又は水素ベーク処理を行うことによって適切に処理されている場合、及び膜成長条件が、そのようなフィルムの成長をサポートしている場合に、シュード形態の構造を形成することのできるＳｉ含有材料に形成されやい。

Epitaxial film formation is favored for silicon-containing materials capable of forming pseudomorphic structures when the underlying single crystal surface has been properly treated, e. g., by ex-situ wet etching of any oxide layers followed by in situ cleaning and/or hydrogen bake steps, and when the growth conditions support such film growth.

特許公表２００５－５０３０００
WO02065517より引用