relatively independent of

ここに、開示されているＣＶＤ条件によるトリシランの成膜は、驚くことに、ほぼ成膜時間に比例し、下層の表面形態にはあまり依存しない厚さを有するＳｉ含有フィルムが形成される傾向がある。

Surprisingly, trisilane deposition under the CVD conditions described herein tends to produce a Si-containing film having a thickness that is approximately proportional to deposition time and relatively independent of underlying surface morphology.

特許公表２００５－５０３０００
WO02065517より引用