arsenic

図示した例では、バッファ層２１０は、トリシランとトリシリルアルシン（全体に対して約５０ｐｐｍ）を用いて、約６００℃の温度で成膜したヒ素ドープトシリコンである。

In the illustrated embodiment, the buffer layer 210 is an arsenic-doped silicon film deposited using trisilane and trisilylarsine (about 50 parts per million (ppm), based on total) at a deposition temperature of about600 C.

特許公表２００５－５０３０００
WO02065517より引用

＊arsenic
n. 【化学】 ヒ素, 砒素： 非金属元素の一つ. 元素記号 As, 原子番号 33, 原子量 74.9216
（研究社　理化学英和辞典より引用）