as discussed below 以下に説明するように

なお、以下に説明するように、ＳｉＧｅの成長を容易にするために、領域２６０は、エピタキシャル層であることが好ましく、領域２４０は、非晶質又は多結晶であることが好ましい。

The region 260 is preferably epitaxial, and the region 240 is preferably amorphous or polycrystalline, to facilitate SiGe deposition as discussed below.

特許公表２００５－５０３０００
WO02065517より引用