be allowed to

次に、混合基板を、２０ｓｌｍの流量の超高純度水素ガス中、圧力４０ｔｏｒｒ（５．３×１０3Ｐａ）下で６００℃に加熱し、熱平衡に到達させた。

The mixed substrate was then allowed to reach thermal equilibrium at600 C at 40 Torr pressure under a flow of 20slm of ultra-pure hydrogen gas.

特許公表２００５－５０３０００
WO02065517より引用