be etched away

次に、領域５５０に露出したＳｉ含有層を、公知のエッチング法により、図５Ｃに示したように除去し、下層の単結晶面５２０を露出させたウインドウを開口させる。

The exposed Si-containing layer in the region 550 is then etched away as illustrated in Figure 5C using known etching techniques, opening a window to expose the underlying single-crystal surface 520.

特許公表２００５－５０３０００
WO02065517より引用