call for 要求する

これらの処理工程の中で、この領域におけるエッチングが要求されるので、これらの成膜条件でも、単結晶面５２０上の領域５５０で、多結晶形態となる傾向がある。

These deposition conditions also tend to produce a polycrystalline morphology in the region 550 over the single-crystal surface 520, since the process flow calls for etching in this region.

特許公表２００５－５０３０００
WO02065517より引用