during の間

エッチングの間、フォトレジストマスク５６０が、その下層の多結晶領域５４０を保護する。この多結晶領域５４０は、後に、ウインドウ５２０に形成されるベース領域とのコンタクトを形成するのに使用される。
During the etching, the photoresist mask 560 protects the underlying polysilicon regions 540, which later serve to make contact with the base region being formed in the window 520.

特許公表２００５－５０３０００
WO02065517より引用