露出している exposed

厚さ約５０Åのヒ素がドープされた連続した非晶質シリコンフィルムを、露出している酸化物上に形成した。

A continuous, arsenic-doped, amorphous silicon film having a thickness of about 50A was deposited on the exposed oxide.

特許公表２００５－５０３０００
WO02065517より引用