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2008年4月25日 (金)

主語+カンマ+補足の説明文+カンマ+having

連続した、表面が滑らかで、高い均一性を有する全厚さ1,000Åの非晶質のSiGeフィルム(部分的にボロンがドープされている)が、第1ステップで成膜された非晶質シリコン層上に形成された。

A continuous, smooth, highly uniform amorphous silicon germanium film, partially doped with boron, having a total thickness of 1,000A was deposited on the amorphous silicon layer deposited in the first step.

特許公表2005-503000
WO02065517より引用

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