すべての層におけるすべてのフィルムの物理的特性は、すべての面にわたって、厚さ、元素の含有量ともに極めて均一であった。
All of the film physical properties for all of the layers were highly uniform with respect to thickness and elemental concentration uniformity across the entire surface.
特許公表２００５－５０３０００
WO02065517より引用
| 固定リンク
また、結晶の品質が優れた全厚さ１，１００ÅのヘテロエピタキシャルＳｉＧｅフィルム（部分的にボロンがドープされている）が、第１ステップで成膜されたエピタキシャルシリコンフィルム上に形成された。
A high crystal quality, heteroepitaxial SiGe film having a total thickness of 1,100A, partially doped with boron, was deposited on the epitaxial silicon film deposited in the first step.
特許公表２００５－５０３０００
WO02065517より引用
| 固定リンク
連続した、表面が滑らかで、高い均一性を有する全厚さ１，０００Åの非晶質のＳｉＧｅフィルム（部分的にボロンがドープされている）が、第１ステップで成膜された非晶質シリコン層上に形成された。
A continuous, smooth, highly uniform amorphous silicon germanium film, partially doped with boron, having a total thickness of 1,000A was deposited on the amorphous silicon layer deposited in the first step.
特許公表２００５－５０３０００
WO02065517より引用
| 固定リンク
第５に、ジボランの流量を一定に維持し、ゲルマンの流量を３０秒間、１０ｓｃｃｍに減らした。
Fifth, the diborane flow was held constant and the germane flow was reduced to 10 sccm for 30 seconds.
特許公表２００５－５０３０００
WO02065517より引用
| 固定リンク
第４に、流量９０ｓｃｃｍ(inject)のジボラン（１００ｐｐｍ、２ｓｌｍの超高純度水素ガス）を反応室に導入する一方で、ゲルマンの流量を、１０秒間１５ｓｃｃｍに変化させた。
Fourth, the flow was changed to 15 sccm for 10 seconds while a flow of 90 sccm (inject) of diborane (100 ppm, 90 sccm mixed with 2slm ultra-pure hydrogen) was also introduced into the reactor.
特許公表２００５－５０３０００
WO02065517より引用
| 固定リンク
第３に、流量を、３０秒間２０ｓｃｃｍに変化させた。
Third, the flow was changed to 20 sccm for 30 seconds.
特許公表２００５－５０３０００
WO02065517より引用
| 固定リンク
第２に、ゲルマンの流量を、３０秒間、３０ｓｃｃｍの一定量に保持した。
Second, the germane flow was held constant at 30 sccm for 30 seconds.
特許公表２００５－５０３０００
WO02065517より引用
| 固定リンク
次に、ゲルマニウムの含有量が漸次変化する、ボロンがドープされたフィルムを、流量２５ｓｃｃｍのトリシラン／水素混合ガスを使用して、いくつかの手順により、ステップを中断することなく形成した。
A graded-germanium concentration, boron doped film was then deposited in several sequential, uninterrupted steps using a trisilane/hydrogen flow rate of 25 sccm.
特許公表２００５－５０３０００
WO02065517より引用
| 固定リンク
厚さ約５０Åのヒ素がドープされた連続した非晶質シリコンフィルムを、露出している酸化物上に形成した。
A continuous, arsenic-doped, amorphous silicon film having a thickness of about 50A was deposited on the exposed oxide.
特許公表２００５－５０３０００
WO02065517より引用
| 固定リンク
次に、流量９０ｓｃｃｍ(inject)のトリシリルアルシン（１００ｐｐｍ、２ｓｌｍの超高純度水素ガスと混合された９０ｓｃｃｍ）及び２０ｓｌｍの超高純度水素ガスを伴う、水素ガス／トリシランの混合物を、９０ｓｃｃｍの流量で、１５秒間反応室に導入した。
The hydrogen/trisilane mixture, along with a flow of 90 sccm (inject) of trisilylarsine (100 ppm, 90 sccm mixed with 2slm ultra-pure hydrogen) and 20 sim ultra-pure hydrogen, was then introduced into the reactor at a flow rate of 90 sccm for 15 seconds.
特許公表２００５－５０３０００
WO02065517より引用
| 固定リンク
次に、加熱された基板にトリシランの蒸気を供給するために、高純度水素ガスを、液体トリシラン（室温に維持されたウォータバスに浸漬された、トリシランを含むバブラ）中に通した。
Pure hydrogen gas was then passed through liquid trisilane (maintained at room temperature using a water bath around the bubbler containing the trisilane) in order to deliver trisilane vapor to the heated substrate.
特許公表２００５－５０３０００
WO02065517より引用
【化】 dipping; immersion.
高温浸漬 high temperature immersion.
浸漬タンク a dipping tank.
浸漬電極 a dipping electrode.
浸漬めっき immersion plating.
（研究社 新和英大辞典第５版より引用）
| 固定リンク
エッチング、乾燥、洗浄及びベーキングというステップにより、エピタキシャルフィルムを成長させるために、単結晶面を活性化させた。
The steps of etching, drying, rinsing, and baking rendered the single crystal surface active for epitaxial film growth.
特許公表２００５－５０３０００
WO02065517より引用
| 固定リンク
次に、混合基板を、２０ｓｌｍの流量の超高純度水素ガス中、圧力４０ｔｏｒｒ（５．３×１０3Ｐａ）下で６００℃に加熱し、熱平衡に到達させた。
The mixed substrate was then allowed to reach thermal equilibrium at600 C at 40 Torr pressure under a flow of 20slm of ultra-pure hydrogen gas.
特許公表２００５－５０３０００
WO02065517より引用
| 固定リンク
次に、この混合基板を希薄なフッ化水素酸溶液の中でエッチングし、洗浄し、乾燥させた。
The mixed substrate was then etched in a solution of dilutehydrofluoric acid, rinsed and dried.
特許公表２００５－５０３０００
WO02065517より引用
＊dilute
v. 【化学】 希釈する, 薄める.
adj. 【化学】 希釈された, 希薄な： 略 dil.
（研究社 理化学英和辞典より引用）
| 固定リンク
この基板にパターニングを施し、酸化物コーティングの約２０％を除去して、下層のＳｉ（１００）ウェーハを露出させた。この処理により、単結晶面と非晶質の酸化物面を有する混合基板を作製した。
The substrate was patterned to remove about 20% of the oxide coating to expose the underlying Si(100) wafer, thus creating a mixed substrate having a single-crystal surface and an amorphous oxide surface.
特許公表２００５－５０３０００
WO02065517より引用
| 固定リンク
Ｓｉ（１００）ウェーハの表面に、厚さ１，５００ÅのＳｉＯ2（「酸化物」）コーティングを備えた基板を準備した。
A substrate was provided consisting of a 1500A Si02 ("oxide") coating deposited onto a Si (100) wafer.
特許公表２００５－５０３０００
WO02065517より引用
| 固定リンク
好ましい実施の形態に係るプロセスは、単一のステップで、混合基板の両方の面にＳｉ含有フィルムを形成するために、トリシランを使用することを含んでいる。この方法は、どちらかというと図４に示したプロセスフローに近く、図５Ａ～５Ｄに示した、マスキング、エッチング及び別個の成膜ステップを省略するものである。
The processes of the preferred embodiments involve the use of trisilane to deposit a
Si-containing film over both surfaces of a mixed substrate in a single step, thus eliminating masking, etching, and separate deposition steps of Figure 5 to be more like the process flow of Figure 4.
特許公表２００５－５０３０００
WO02065517より引用
| 固定リンク
このような従来のプロセスは、本技術分野ではよく知られており、図１Ｂに関連してすでに説明したとおりである。
Such conventional deposition processes are known in the art, as discussed above with respect to Figure1 B.
特許公表２００５－５０３０００
WO02065517より引用
＊「関連した」には、[associated]などがある。
| 固定リンク
次に、フォトレジストマスク５６０を除去し、第２のシリコン源（できるだけ同じもの）を用いる成膜プロセスにより、図５Ｄに示したように、単結晶面５２０上に、仕様に合ったエピタキシャルフィルム５７０を形成する。
The photoresist mask 560 is then removed and a deposition process using a second (possibly the same) silicon source deposits an acceptable epitaxial film 570 onto the single-crystal surface 520 as illustrated in Figure 5D.
特許公表２００５－５０３０００
WO02065517より引用
| 固定リンク
エッチングの間、フォトレジストマスク５６０が、その下層の多結晶領域５４０を保護する。この多結晶領域５４０は、後に、ウインドウ５２０に形成されるベース領域とのコンタクトを形成するのに使用される。
During the etching, the photoresist mask 560 protects the underlying polysilicon regions 540, which later serve to make contact with the base region being formed in the window 520.
特許公表２００５－５０３０００
WO02065517より引用
| 固定リンク
次に、領域５５０に露出したＳｉ含有層を、公知のエッチング法により、図５Ｃに示したように除去し、下層の単結晶面５２０を露出させたウインドウを開口させる。
The exposed Si-containing layer in the region 550 is then etched away as illustrated in Figure 5C using known etching techniques, opening a window to expose the underlying single-crystal surface 520.
特許公表２００５－５０３０００
WO02065517より引用
| 固定リンク
公知のフォトリソグラフィ技術を利用して、フォトレジスト層を形成し、パターニングすることにより、図５Ｂに示したように、フォトレジストマスク５６０を形成する。
Using known photolithography techniques, a photoresist mask 560 is formed and patterned as illustrated in Figure 5B.
特許公表２００５－５０３０００
WO02065517より引用
| 固定リンク
一連のマスキングとエッチングステップは、領域５５０における望ましくない多結晶形態を、望ましいエピタキシャル形態に置き換えるために利用される。
A series of masking and etching steps are used to replace the undesired polycrystalline morphology in the region 550 with the desired epitaxial morphology.
特許公表２００５－５０３０００
WO02065517より引用
| 固定リンク
これらの処理工程の中で、この領域におけるエッチングが要求されるので、これらの成膜条件でも、単結晶面５２０上の領域５５０で、多結晶形態となる傾向がある。
These deposition conditions also tend to produce a polycrystalline morphology in the region 550 over the single-crystal surface 520, since the process flow calls for etching in this region.
特許公表２００５－５０３０００
WO02065517より引用
| 固定リンク
また、非エピタキシャル面５３０上の領域（多結晶領域）５４０に、所定の非エピタキシャル（例えば、多結晶）形態を有するフィルムが形成されるように、成膜温度を選択しなければならない。
The deposition temperature is selected to deposit a film having a desired non-epitaxial (e. g., polycrystalline) morphology in the regions 540 over the non-epitaxial surfaces 530.
特許公表２００５－５０３０００
WO02065517より引用
＊「有する」は、having以外にも多くの表現があるので、各自で研究すること。
| 固定リンク
一般に、酸化物の表面では核生成が起こりにくいために、長時間の成膜によって、最終的に、連続した、ほぼ均一な厚さになる。この長時間の処理は、活性領域のウインドウ（単結晶面）５２０上への過剰の膜形成という結果になる。
Due to generally poornucleation over the oxide surfaces, extended deposition eventually results in a continuous and acceptably uniform thickness, which extended process results in excessive deposition over the active area window 520.
特許公表２００５－５０３０００
WO02065517より引用
| 固定リンク
この好ましい方法は、さらに、第１と第２のシリコン源をトリシランに置き換えることにより、１つにまとめられた半導体デバイスの製造プロセスに改善すること、及び同一のステップで、第１の面と第２の面にＳｉ含有フィルムを成膜することを含んでいる。
The preferred method further comprises modifying the identified semiconductor device manufacturing process by replacing the first and second silicon sources with trisilane and depositing a silicon-containing film onto the first surface and the second surface in the same step.
特許公表２００５－５０３０００
WO02065517より引用
| 固定リンク
この方法は、第１のシリコン源を用いて第１の面に第１のＳｉ含有フィルムを成膜すること、別のステップで、第２のシリコン源を用いて第２の面に第２のＳｉ含有フィルムを成膜すること（第１と第２の面が異なる）で構成された半導体デバイスの製造プロセスのステップを１つにする(identify)ことを含むことが好ましい。
Preferably, this method comprises identifying a semiconductor device manufacturing process that comprises depositing a first silicon-containing film onto a first surface using a first silicon source and, in a separate step, depositing a second silicon-containing film onto a second surface using a second silicon source, wherein the surfaces are different.
特許公表２００５－５０３０００
WO02065517より引用
| 固定リンク
このように、好ましい実施の形態では、半導体デバイスの製造プロセスにおけるステップ数を減らす方法が提供された。
Thus, in a preferred embodiment, a method is provided for reducing the number of steps in a semiconductor device manufacturing process.
特許公表２００５－５０３０００
WO02065517より引用
| 固定リンク
それに対して、例えば、処理プロセスで従来のシリコン源を用いると（図５Ａ～５Ｄ以下及び関連する説明を参照のこと）、フィールド分離領域上及び活性領域のウインドウへのＳｉ含有フィルムの成膜、マスキング、エッチング及びその後のエピタキシャルベース層の形成という別個のステップを必要とする。
in contrast, the use of a conventional silicon source in a process (see Figure 5 below and attending description) typically involves separate steps of depositing a Si-containing film over the field isolation regions and the active area windows, masking, etching, and then later depositing the epitaxial base layer.
特許公表２００５－５０３０００
WO02065517より引用
| 固定リンク
さらに、好ましい実施の形態に係るバッファ層４１４がある場合でも、ない場合でも、トリシランは、１つのステップで、異質のもので構成された表面上への成膜を容易にする。
Moreover, with or without the buffer layer 414 of the preferred embodiments, trisilane facilitates deposition over heterogeneous surfaces in one step;
特許公表２００５－５０３０００
WO02065517より引用
| 固定リンク
例えば、両方の表面に直接ＳｉＧｅを成膜するために、シラン、ジシラン、ジクロロシラン、トリクロロシラン、テトラクロロシランなどのシリコン源の代わりにトリシランを用いると、バッファ層（多結晶領域）４１４を成膜するためのステップを省略することができる。
For example, the step of depositing a buffer layer 414 can be omitted when trisilane is used to deposit SiGe directly onto both surfaces instead of a silicon source such as silane, disilane, dichlorosilane, trichlorosilane ortetrachlorosilane.
特許公表２００５－５０３０００
WO02065517より引用
| 固定リンク
上述のように、従来のシリコン源をトリシランに置き換えることにより、半導体製造プロセスにおける工程数を、効果的に減らせることが明らかである。
It is apparent from the foregoing that the number of steps in a semiconductor manufacturing process can be advantageously reduced by replacing a conventional silicon source with trisilane.
特許公表２００５－５０３０００
WO02065517より引用
| 固定リンク
後に続く、エピタキシャル領域４２０への電気的な接続（図示省略）は、上層の絶縁層を通って、ドープされた多結晶領域４１８又は４２６に延びる１つ又はそれ以上のコンタクトを介して形成するのがよい。
Subsequent electrical connection (not shown) to the epitaxial base region 420 is preferably made via contacts extending through overlying insulating layers to one or more of the doped polycrystalline regions 418 and 426.
特許公表２００５－５０３０００
WO02065517より引用
| 固定リンク
さらに追加される層、すなわちエミッタは、本技術に係る技術者によく知られている手段で、完成されたデバイスを製造するために、図４に示した構造上に成膜することができる。
Additional layers, e. g., an emitter, may be deposited onto the structure shown in Figure 4 to produce the completed device, in a manner known to those skilled in the art.
特許公表２００５－５０３０００
WO02065517より引用
| 固定リンク
このように、多結晶領域４１８及び４２６におけるｐ型ドーパントの量は、エピタキシャル領域４２０におけるｐ型ドーパントのレベルとほぼ同じであることが好ましい。
Thus, the amount of p dopant in the polycrystalline regions 418 and 426 is preferably about the same as the level of p dopant in the epitaxial base region 420.
特許公表２００５－５０３０００
WO02065517より引用
| 固定リンク
キャップ層４２２は、後に続くプロセスの段階で、ＳｉＧｅ層の準安定歪みを維持し、構造内の所定の深さでエミッタベース接合の形成を容易にするのに有効である。
The cap layer 422 helps to maintain the metastable strain of the SiGe layer during subsequent processing steps and facilitates the formation of the emitter-base junction at the desired depth within the structure.
特許公表２００５－５０３０００
WO02065517より引用
| 固定リンク
このフィルム４２２（それ）は、約６００℃の温度で、厚さ約５００Åに成膜される。
It is deposited at a deposition temperature of about600 C and has a thickness of about 500A.
特許公表２００５－５０３０００
WO02065517より引用
| 固定リンク
説明した実施の形態では、フィルム４２２を、約１×１０17～約１×１０20原子／ｃｍ3の範囲のドーパント領域とするために、"in situ"ドーパント前駆体としてジボランを使用して、ボロンドーピングを行う。
In the illustrated embodiment, the film 422 is doped with boron using diborane as an in situ dopant precursor to achieve a dopant level in the range of about 1 x 1017 to about1 x 1020 atoms/cm3.
特許公表２００５－５０３０００
WO02065517より引用
| 固定リンク
例えば、約１０％のゲルマニウムを含むＳｉＧｅ層の臨界厚さは、安定(stable)に歪んだフィルムでは約３００Åであり、Ｓｉの＜１００＞方向に歪んだ準安定(metastable)フィルムでは約２，０００Åである。
For example, SiGe containing about 10% germanium has a critical thickness of about 300A for an equilibrium (stable) strained film and about 2,000A for a metastable, strained film on Si <100>.
特許公表２００５－５０３０００
WO02065517より引用
| 固定リンク
そのような転位は、キャリアの移動性を減少させ、漏洩電流を増加させ、デバイス特性を低下させ、デバイス不良を起こさせる。
Such dislocations lead to reduced carrier mobility, current leakage, reduced device performance and even device failure.
特許公表２００５－５０３０００
WO02065517より引用
| 固定リンク
ＳｉＧｅ層の厚さが、臨界厚さと呼ばれる所定の厚さを超えると、フィルム／基板界面の不整合転位の形成が、エネルギ的に生じやすくなる。
As the thickness of the SiGe layer increases above a certain thickness, called the critical thickness, the formation of misfit dislocations at the film/substrate interface becomes energetically favorable.
特許公表２００５－５０３０００
WO02065517より引用
| 固定リンク
しかし、本技術に係る技術者であれば、開示されている方法は、ｐｎｐデバイスの製造に同様に応用できることが理解されるはずである。
However, those skilled in the art will recognize that the described methods are equally applicable to the fabrication of pnp devices.
特許公表２００５－５０３０００
WO02065517より引用
| 固定リンク
・ばらつきが大きい[小さい] vary 「widely [little]
・ばらつきが生じる[出る] variation arises; discrepancies appear
・複数の実験のデータの間にばらつきが見られる. Discrepancies exist in the data obtained from multiple experiments.
・徹底した品質管理によって製品の質のばらつきが少なくなった. Strict quality control has reduced the number of anomalies in our products.
・製品のできに多少のばらつきがあるのはやむをえない. A certain amount of variation in the finished product is unavoidable
・ばらつきを減らす[低減する] reduce discrepancies; reduce variation
・寸法のばらつきを最小限に抑える keep [reduce] variations in measurement to a minimum.
（研究社 新和英大辞典第５版より引用）
| 固定リンク
フィルムの組成は、二次イオン質量分析法（ＳＩＭＳ）によって、測定するのがよい。
Film composition is preferably determined using Secondary Ion Mass Spectrometry(SIMS).
特許公表２００５－５０３０００
WO02065517より引用
| 固定リンク
例えば、図３Ｃに示したように、ボロンがドープされたシリコンキャップ層３８０を、成膜温度約６００℃で、トリシラン及びジボラン（全量に対して約１００ｐｐｍ）を含む混合ガスを用いて、ＳｉＧｅフィルム３５０上に形成する。
For example, in the embodiment illustrated in Figure 3C, a boron doped silicon cap layer 380 is deposited onto the film 350 using a gas mixture comprising trisilane and diborane (about 100 parts per million (ppm), based on total) at a deposition temperature of about 600 C.
特許公表２００５－５０３０００
WO02065517より引用
| 固定リンク
キャップ層の成膜は、ここに説明されているＳｉ含有フィルムの成膜法に従って、トリシランを用いることによって、実施することができる。
Preferably, the deposition of the cap layer is carried out using trisilane in the manner described herein for the deposition of Si-containing films.
特許公表２００５－５０３０００
WO02065517より引用
| 固定リンク
成膜温度は、約６００℃であり、平均厚さ約２５００Åを有する混合形態のＳｉＧｅフィルムを形成するのに必要な時間、成膜を継続する。
The deposition temperature is about600 C and deposition is continued for a period of time effective to deposit a mixed-morphology SiGe film 350 having an average thickness of about 2500A.
特許公表２００５－５０３０００
WO02065517より引用
＊angstrom
【物理】 オングストローム《電磁波の測定単位; 1 億分の 1 cm (すなわち 10のマイナス８乗cm); 記号 A,; angstrom unit ともいう》.
（研究社 新英和大辞典より引用）
※全角文字では「Å」（Ａの上に小さい白丸付き）が出せるが、ASCII文字では、単なる「A」となることがあるので、angstromの「Å」は、DTP部門にも周知してもらう必要がある。
| 固定リンク
基板３００は、ＣＶＤ反応室の中に配置するのがよく、トリシランは、液体トリシランを含む温度制御されたバブラに、キャリアガスを通してバブリングすることによって、反応室に導入することが好ましい。
The substrate 300 is preferably contained in a CVD chamber and the trisilane is preferably introduced to the chamber by bubbling the carrier gas through a temperature-controlled bubbler containing liquid trisilane.
特許公表２００５－５０３０００
WO02065517より引用
| 固定リンク
別の実施の形態（図３Ａ～３Ｃには示されていない）として、前述のように、酸化物面３３０上と活性領域面３４０上に予め形成されたバッファ層面に、ガスを供給してもよい。
In an alternate embodiment (not shown in Figure 3), the gas is delivered to the surface of a buffer layer previously deposited over the oxide surface 330 and the active area surface 340 as described above.
特許公表２００５－５０３０００
WO02065517より引用
| 固定リンク
成膜に先立って、本技術に係る技術者にはよく知られている方法で、エピタキシャル膜を形成するための準備を行い、酸化物のない結晶面（エピタキシャルシリコン）を有する活性領域３４０と非晶質面（第２の基板表面）３３０を露出させる。
Prior to deposition, the substrate 320 is prepared for epitaxial deposition by methods known to those skilled in the art to expose an active area 340 having an oxide-free crystalline surface (epitaxial silicon) and an amorphous surface 330.
特許公表２００５－５０３０００
WO02065517より引用
| 固定リンク
図３Ａは、半導体基板３２０上に、フィールド分離領域３１０を備える好ましい構造（基板）３００を示す図である。
Figure 3A illustrates a preferred structure 300 having field isolation regions 310 over a semiconductor substrate 320.
特許公表２００５－５０３０００
WO02065517より引用
＊「備える、具備する」は、他にcomprise, include, be provided with, be equipped withなどがある。
| 固定リンク
図３Ａ～図３Ｃは、好ましい実施の形態でトリシランを用いる時に得られる優位性を示す断面図である。ただし、本技術に係る技術者であれば、ここに開示されていることに従って、様々な好ましい方法によって、同様な優位性が提供されることを認識できるはずである。
Figure 3 illustrates the benefits obtained when using trisilane in the context of a preferred embodiment, but it will be recognized by those skilled in the art that variations of the preferred method in accordance with the teachings herein will provide similar benefits.
特許公表２００５－５０３０００
WO02065517より引用
| 固定リンク
トリシランとゲルマニウム源を用いるＣＶＤ法により、混合基板上に、ＳｉＧｅやＳｉＧｅＣなどのＳｉ含有フィルムを形成することが可能になる。
CVD using trisilane and a germanium source enables the formation of Si-containing films such as SiGe or SiGeC over mixed substrates.
特許公表２００５－５０３０００
WO02065517より引用
| 固定リンク
格子構造が下層の単結晶基板の格子構造に整合するように、フィルムが成長する時には、原子が、独立したバルク材料の格子構造で正常に占める位置から離れているので、格子歪みが存在する。
Lattice strain is present because the atoms depart from the positions that they would normally occupy in the lattice structure of the free-standing, bulk material when the film deposits in such a way that its lattice structure matches that of the underlying single crystal substrate.
特許公表２００５－５０３０００
WO02065517より引用
| 固定リンク
形成されたエピタキシャル層は、少なくとも二次元で下層の単結晶の格子構造と同じであるが、その固有の格子定数とは異なる格子構造を有するように拘束される場合、「歪んだ」ものとなる。
A deposited epitaxial layer is "strained" when it is constrained to have a lattice structure in at least two dimensions that is the same as that of the underlying single crystal substrate, but different from its inherent lattice constant.
特許公表２００５－５０３０００
WO02065517より引用
＊strain
【物理】 ひずみ, 変形, 応力変形
（研究社 新英和大辞典より引用）
※distortなどの他の単語も研究すること。
| 固定リンク
下層の混合基板のうちの少なくとも１つの表面の組成及び表面形態は、その面への歪みのあるＳｉＧｅフィルムのヘテロエピタキシャル成長を、効果的に生じさせる。
Preferably, the surface morphology and composition of at least one surface of the underlying mixed substrate is effective to allow strained heteroepitaxial growth of SiGe films thereon.
特許公表２００５－５０３０００
WO02065517より引用
| 固定リンク
供給ガス中のトリシランとゲルマニウム源の質量割合は、約１０：９０～約９９：１、より好ましくは約２０：８０～約９５：５の範囲とすることが好ましい。
The weight ratio of trisilane to germanium source in the feed gas is preferably in the range of about 10: 90 to about 99: 1, more preferably about 20: 80 to about 95:5.
特許公表２００５－５０３０００
WO02065517より引用
| 固定リンク
ゲルマニウム含有率は、フィルムの厚さ全体にわたって一定としてもよく、又は、成膜を行っている間、供給ガス中のゲルマニウム源の濃度を変えることによって、濃度が変化したフィルムを形成するようにしてもよい。
The germanium concentration may be constant through the thickness of the film or a graded film can be produced by varying the concentration of the germanium source in the feed gas during the deposition.
特許公表２００５－５０３０００
WO02065517より引用
| 固定リンク
シリコン、ゲルマニウム、炭素、ドーパントなどのフィルム中の元素の相対的な割合は、上記のように、供給ガスの組成を変えることによって制御することが好ましい。
The relative proportions of elements in the film, e. g., silicon, germanium, carbon, dopants, etc., are preferably controlled by varying the feed gas composition as discussed above.
特許公表２００５－５０３０００
WO02065517より引用
＊composition
【化学】 組成： 化合物, 混合物を構成する元素や材料の割合. 通常原子比または重量百分率で表わす
（研究社 理化学英和辞典より引用）
| 固定リンク
ゲルマニウム源には、ゲルマン又はジゲルマンを用いるのが、さらに好ましい。
More preferably, the germanium source is germane or digermane.
特許公表２００５－５０３０００
WO02065517より引用
| 固定リンク
ＳｉＧｅ含有フィルムは、上記のバッファ層上、好ましくはシリコンバッファ層又はドーピング処理されたシリコンバファ層上、又は直接混合基板上に形成するのがよい。
The SiGecontaining film may be deposited onto a buffer layer as described above, preferably onto a silicon or doped silicon buffer layer, or directly onto the mixed substrate.
特許公表２００５－５０３０００
WO02065517より引用
| 固定リンク
このＳｉＧｅ含有フィルムは、ゲルマニウム源とトリシランを同時に反応室へ導入するか、又はトリシランとゲルマニウム源の混合物を用いて、成膜を行うことが好ましい。
SiGe-containing film is preferably deposited by simultaneously introducing a germanium source andtrisilane to the chamber, more preferably by using a mixture of trisilane and a germanium source.
特許公表２００５－５０３０００
WO02065517より引用
| 固定リンク
ベース構造を製造する方法は、活性領域と絶縁領域を含む基板面を準備するステップと、活性領域と絶縁領域の両方の基板上に、Ｓｉ含有フィルムを形成するのに効果的な条件で、基板面にトリシランを供給するステップとを含んでいる。
The method for making the base structure comprises providing a substrate surface that comprises an active area and an insulator and supplying trisilane to the substrate surface under conditions effective to deposit a silicon-containing film onto the substrate over both the active area and the insulator.
特許公表２００５－５０３０００
WO02065517より引用
| 固定リンク
１つの好ましい実施の形態では、バイポーラトランジスタのベース構造を製造する方法に、トリシランを用いる。
In a preferred embodiment, trisilane is used in a method for making a base structure for a bipolar transistor.
特許公表２００５－５０３０００
WO02065517より引用
| 固定リンク
図２Ｂに示したバッファ層２１０上に成膜するために、シリコンとゲルマニウムの従来の原料を用いた場合でも、バッファ層がない場合に形成されるフィルムに比べて、下層の単結晶面２２０と非晶質面２３０の両方で、より均一な組成を有するＳｉＧｅフィルム２８０を得ることができる。
Even using conventional sources of silicon and germanium for depositing over the buffer layer 210 in Figure 2B preferably produces a SiGe film 280 having a more uniform composition over both of the underlying single crystal and amorphous substrate surfaces 220 and 230 than would be achieved in the absence of the buffer layer.
特許公表２００５－５０３０００
WO02065517より引用
| 固定リンク
バッファ層を用いる方法は、バッファ層上に形成されたフィルムは、厚さも組成もより均一であるので、形成されたフィルムが２つ又はそれ以上の元素を含むような条件に対して特に有効である。
Use of a buffer layer is particularly helpful in situations such as this, where the film being deposited contains two or more elements, because deposition onto a buffer layer preferably produces a film that is more uniform in both thickness and composition.
特許公表２００５－５０３０００
WO02065517より引用
| 固定リンク
例えば、混合基板上に、直接ＳｉＧｅフィルムを形成させるために、シランとゲルマンを用いると、形成されたフィルムの厚さも組成も、下層の混合基板上で、著しくばらつきのあるものとなる。
For example, when silane and germane are used to deposit a SiGe film directly onto a mixed substrate, both the thickness and the composition of the resulting film varies considerably over underlying mixed surfaces.
特許公表２００５－５０３０００
WO02065517より引用
| 固定リンク
しかし、２つの下層上の成膜速度が異なるという問題に加えて、従来のシリコン源とゲルマニウム源を使用した場合、形成されるフィルムの組成も異なる傾向がある。
However, in addition to the problem of different deposition rates over the two underlying surfaces, the composition of the deposited film also tends to vary when using conventional silicon and germanium sources.
特許公表２００５－５０３０００
WO02065517より引用
| 固定リンク
例えば、上層のフィルム２８０内のシリコンとゲルマニウムの相対的な量は、両方の領域２４０と２６０で、相対的に一定であることが好ましい。
For example, the relative amounts of silicon and germanium in the overlying film 280 are preferably relatively constant across the film, over both the region 240 and the region260.
特許公表２００５－５０３０００
WO02065517より引用
| 固定リンク
両方のタイプの表面にそれ自体の成膜を行うことに加えて、形成されたフィルムが両方の表面で、均一な元素の組成を有することも、通常、望ましいことである。
In addition to achieving deposition per se over both types of surfaces, it is also usually desirable for the deposited film to have a uniform elemental composition over both surfaces.
特許公表２００５－５０３０００
WO02065517より引用
| 固定リンク
なお、以下に説明するように、ＳｉＧｅの成長を容易にするために、領域２６０は、エピタキシャル層であることが好ましく、領域２４０は、非晶質又は多結晶であることが好ましい。
The region 260 is preferably epitaxial, and the region 240 is preferably amorphous or polycrystalline, to facilitate SiGe deposition as discussed below.
特許公表２００５－５０３０００
WO02065517より引用
| 固定リンク
図示した例では、バッファ層２１０は、トリシランとトリシリルアルシン（全体に対して約５０ｐｐｍ）を用いて、約６００℃の温度で成膜したヒ素ドープトシリコンである。
In the illustrated embodiment, the buffer layer 210 is an arsenic-doped silicon film deposited using trisilane and trisilylarsine (about 50 parts per million (ppm), based on total) at a deposition temperature of about600 C.
特許公表２００５－５０３０００
WO02065517より引用
＊arsenic
n. 【化学】 ヒ素, 砒素： 非金属元素の一つ. 元素記号 As, 原子番号 33, 原子量 74.9216
（研究社 理化学英和辞典より引用）
| 固定リンク
バッファ層２１０は、領域２４０が多結晶で、領域２６０が単結晶であったとしても、この状態では酸化物が露出していないので、上層のフィルム２８０の成長を改善することができる（単結晶面２２０と酸化物面２３０への直接的な成膜に比較して）。
The buffer layer 210 improves the deposition of the overlying film 280 (relative to direct deposition onto the single crystal surface 220 and the oxide surface 230) even though the region 240 is polycrystalline and the region 260 is single crystal, since no oxide is exposed at this stage.
特許公表２００５－５０３０００
WO02065517より引用
＊expose
4 【写真】 〈フィルム･印画紙などを〉感光させる, 露出する, 露光する, 焼く.
5a 〔日光･風雨などに〕さらす 〔to〕.
･a situation exposed to every wind 吹きさらしの位置.
･be exposed to the rain 雨に当たる, 雨ざらしになる.
･expose the bedding to sunlight 寝具を日光に当てる.
（研究社 新英和大辞典より引用）
| 固定リンク
そのような問題は、例えば、従来のシランなどのシリコン源とゲルマンなどのゲルマニウム源の混合物を用いることによって、ＳｉＧｅフィルムの成膜を試みる時に遭遇するはずである。
Such difficulties may be encountered, for example, when attempting to deposit a SiGe film using a mixture of a conventional silicon source such as silane and a germanium source such as germane.
特許公表２００５－５０３０００
WO02065517より引用
| 固定リンク
