部分的に補足する文章（カンマ---カンマ）

また、結晶の品質が優れた全厚さ１，１００ÅのヘテロエピタキシャルＳｉＧｅフィルム（部分的にボロンがドープされている）が、第１ステップで成膜されたエピタキシャルシリコンフィルム上に形成された。

A high crystal quality, heteroepitaxial SiGe film having a total thickness of 1,100A, partially doped with boron, was deposited on the epitaxial silicon film deposited in the first step.

特許公表２００５－５０３０００
WO02065517より引用