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2008年4月22日 (火)

により (主語の訳し方)

エッチング、乾燥、洗浄及びベーキングというステップにより、エピタキシャルフィルムを成長させるために、単結晶面を活性化させた。

The steps of etching, drying, rinsing, and baking rendered the single crystal surface active for epitaxial film growth.

特許公表2005-503000
WO02065517より引用

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