手順

次に、ゲルマニウムの含有量が漸次変化する、ボロンがドープされたフィルムを、流量２５ｓｃｃｍのトリシラン／水素混合ガスを使用して、いくつかの手順により、ステップを中断することなく形成した。

A graded-germanium concentration, boron doped film was then deposited in several sequential, uninterrupted steps using a trisilane/hydrogen flow rate of 25 sccm.

特許公表２００５－５０３０００
WO02065517より引用