then 次に

次に、フォトレジストマスク５６０を除去し、第２のシリコン源（できるだけ同じもの）を用いる成膜プロセスにより、図５Ｄに示したように、単結晶面５２０上に、仕様に合ったエピタキシャルフィルム５７０を形成する。

The photoresist mask 560 is then removed and a deposition process using a second (possibly the same) silicon source deposits an acceptable epitaxial film 570 onto the single-crystal surface 520 as illustrated in Figure 5D.

特許公表２００５－５０３０００
WO02065517より引用