when attempting to do

そのような問題は、例えば、従来のシランなどのシリコン源とゲルマンなどのゲルマニウム源の混合物を用いることによって、ＳｉＧｅフィルムの成膜を試みる時に遭遇するはずである。

Such difficulties may be encountered, for example, when attempting to deposit a SiGe film using a mixture of a conventional silicon source such as silane and a germanium source such as germane.

特許公表２００５－５０３０００
WO02065517より引用