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2008年5月31日 (土)

frequencies(複数形)

より詳細には、高周波数は、より小さな周期を有するフィーチャを必要とする。より小さな周期とは、フィーチャが相互に接近する必要があることを有効に意味している。

In particular, higher frequencies require features that have a smaller period which effectively means they have to becloser together.

特許公表2004-535667
WO02091441より引用

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させるため for -- to be (ADV) PP

光を有効に屈曲させるため、フィーチャは、特定の所望の特性を有するフィーチャ自身と同様に、特定の空間的周期性を有する。

For the light to be effectively bent, the features have a certain spatial periodicity as well as the features themselves having certain desirable characteristics.

特許公表2004-535667
WO02091441より引用

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2008年5月29日 (木)

in a [some] measure

この屈曲は、ほとんど光の周波数に依存する。

This bending is dependent in a large measure on the frequency of the light.

特許公表2004-535667
WO02091441より引用

※研究社 リーダーズでは、以下の定義になっている。
in a [some] measure ある程度, 幾分.

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離間する、離間される(space)

フィーチャは所望の屈曲を実現させる関係をなして離間される必要がある。

The features must be spaced apart in a relationship that provides for the desirable bending to occur.

特許公表2004-535667
WO02091441より引用

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One of --(複数) is that --

困難のうちの一つは回折格子が好適には複数の回折格子フィーチャから形成されることである。

One of the difficulties is that the grating is made up desirably of a number of grating features.

特許公表2004-535667
WO02091441より引用

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outside

これは、2点間の光をインターフェースすることが必要な場合に常に非常に望ましく、従って光が導波路に沿って伝播され、かつ好適には導波路の外部へ伝播される場合、又は光が導波路の外部で発生し、かつ好適には導波路内に入る場合、回折格子はこれを実現するために利用され得る。

This is very desirable anytime there is a need to interface light between two points so that if light is being transmitted along a waveguide and is desirably sent outside of the waveguide or light is originating outside the waveguide and is desirably to be in the waveguide, a grating can be utilized to achieve this.

特許公表2004-535667
WO02091441より引用

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2008年5月26日 (月)

周知である #02

光結合に技術の一つは回折格子として周知である。

One of the techniques used in opto-coupling is known as diffraction grating.

特許公表2004-535667
WO02091441より引用

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光結合素子構造及びその方法

光結合素子構造及びその方法

本発明は光結合に関する。より詳細には、光結合において有用な集積回路素子構造に関する。

AN OPTO-COUPLING DEVICE STRUCTURE AND METHOD
THEREFOR

This invention relates to opto-coupling and, more particularly, to integrated circuit device structures useful in opto-coupling.

特許公表2004-535667
WO02091441より引用

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2008年5月23日 (金)

insensitivity

表1から、表1に示した温度条件及び流量条件の範囲、特に、ゲルマンの流量の範囲で、優れた均一性を有するフィルムが得られることが分かった。また、トリシランが用いられているので、成膜が、表面形態に比較的鈍感であることを示している。

The results shown in Table 1 demonstrate that highly uniform films can be prepared over a range of temperatures and flow rate conditions, particularly over a range of germane concentration, and further illustrate the relative insensitivity of deposition to surface morphology when trisilane is used.

特許公表2005-503000
WO02065517より引用

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2008年5月19日 (月)

傾斜角

SiGeフィルムをSEMにより観察した結果、図8及び図9(図6、図7に示したものと、それぞれ同じ倍率と傾斜角)に示したSEM顕微鏡写真に表されているように、SiGeフィルムは極めて均一な面であることが分かった。

SEM of the SiGe film revealed a much more uniform surface, as demonstrated in the SEM micrographs shown in Figures 8 and 9 (same magnifications and tilt angles as Figures 6 and 7, respectively).

特許公表2005-503000
WO02065517より引用

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XXX proceeded by YYY

このアイランドタイプの成長は、はじめに分離した核が表面に形成され、次にそれらが一緒に成長し、示されているアイランドを形成することによって成膜されることを示している。

This island type deposition shows that deposition proceeded by a process in which isolated nuclei first formed on the surface, then grew together to form the islands shown.

特許公表2005-503000
WO02065517より引用

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as demonstrated in --

SiGeフィルムを走査型電子顕微鏡(SEM)で観察した結果、図6及び図7に示したSEM写真に表されているように、アイランドタイプの成長を示すピラミッド型のカットされた(faceted)粒となっていることが明らかとなった。

Scanning electron microscopy (SEM) of the SiGe film revealed pyramidal, faceted grains indicative of an island-type deposition, as demonstrated in the SEM micrographs shown in Figures 6 and 7.

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as well as an increase --

これは、バッファ層の成膜やパターン化に必要なプロセスのステップを省略することによって、この構造を形成するための製造コストを実質的に節減できることを意味しており、デバイスの全製造工程においてスループットが上昇することも示している。

This represents a substantial savings in manufacturing costs for the deposition of this structure by virtue of the elimination of the process steps used to deposit and pattern the buffer layer, as well as an increase in throughput for the entire device manufacturing flow.

特許公表2005-503000
WO02065517より引用

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2008年5月15日 (木)

Note that -- 特筆される

2つのタイプの面上に高い品質のフィルム積層を形成するために、シリコンバッファ層をマスキングしたり、パターン化する処理を必要としないということが特筆される。

Note that it was not necessary tomask/pattern the silicon buffer layer to deposit a high-quality filmstack over both types of surface.

特許公表2005-503000
WO02065517より引用

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2008年5月11日 (日)

翻訳スクールの見学会

前回の日記で書いた、
http://xenakis.cocolog-tcom.com/blog/2008/05/post_8db3.html
仕事をもらうことを重視する翻訳スクールの見学会の日程が決まりました。

とりあえず、7月5日(土)、12日(土)の4pm-6pmを予定しています。

まだ、以下の翻訳スクールのサイトが更新されていないと思いますが、上記の日時で行う予定です。
内容の詳細は、以下のサイトを時々ご覧ください。
http://www.qollounge.com/ps/index.php

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2008年5月 1日 (木)

知財翻訳スクール設立へ

エンジニア、弁理士、経営者(翻訳を出すお客様)、翻訳者が一同に集まり、特許翻訳者を育てる知財翻訳スクール設立にほぼ近づきました。
以下のリンクをクリックしてご覧ください。
http://www.qollounge.com/ps/index.php

(ブラウザは、出来る限りIEをお薦めします。
もちろんFirefoxでも構いませんが、画面のレイアウトに少々違いが出る場合があります。)

これまでの翻訳学校とは異なるのは、お客様(クライアント)自体が主体となって、新人翻訳者の育成に力を入れることです。
また、「専門技術」のコースを強化していることです。
「語学は得意だけれど、専門技術がない」という人は多いと思います。そこで、「専門技術」のコースにおいて、スキルアップをして頂きたいと思います。

現在、クライアント自体が持つ翻訳(特に特許関係)の仕事が余っているので、効率よく、翻訳処理をすることを望んでいます。
しかし、現実には、特許関係の翻訳を訳せるほどの実力のある翻訳者が不足しているため、なかなか、迅速に品質の良い特許翻訳をすることができません。
そこで、知財翻訳スクール設立を決定したわけです。

現在、まだ確定していませんが、最初から、クライアントの仕事を行うクラスも追加する予定です。
●このクライアントが直接仕事を提供することが、他の翻訳学校と最も異なる特徴です。
(現在、ホームページには表示していませんが、近日中に追加する予定です。)

また、他の翻訳学校と差別化するために、専門技術の会社の見学もオプションとして加えました。
この見学も、一般人が入室不可能な場所まで入って見ることができます。
また、専門分野で一流のエンジニアに直接会うこともできます。
※これも、他の翻訳学校と異なる特徴です。

5月30日(金)には、臨海副都心センターにある産業技術総合研究所の三宅正人氏や、東大で講義をされている並木幸久氏と直接お会いすることができます。
どちらの方もバイオ技術においては一流の方です。

これから翻訳者になりたい方々の正直な欲求や不安は以下に集約されると思います。

*仕事がほしい
*翻訳者になれるかなー?

その意味でも、今後、新しい形態の知財翻訳スクールをぜひ活用して頂き、知り合いで翻訳者になりたい方々にも、上記知財翻訳スクールのことをお知らせ頂ければ幸いです。

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