differ from
このタイプのエピタキシャル成長過程におけるこの現象のために、得られるドーパントプロフィルが所望のプロフィルからずれることがある。
Due to this effect in such an epitaxial growth process, the dopant profile obtained will differ from the desired profile.
特許公表2004-533715
WO02079551より引用
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このタイプのエピタキシャル成長過程におけるこの現象のために、得られるドーパントプロフィルが所望のプロフィルからずれることがある。
Due to this effect in such an epitaxial growth process, the dopant profile obtained will differ from the desired profile.
特許公表2004-533715
WO02079551より引用
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