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2008年6月19日 (木)

differ from

このタイプのエピタキシャル成長過程におけるこの現象のために、得られるドーパントプロフィルが所望のプロフィルからずれることがある。

Due to this effect in such an epitaxial growth process, the dopant profile obtained will differ from the desired profile.

特許公表2004-533715
WO02079551より引用

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