a bipolar transistor with a raised extrinsic base

【要約】
【課題】突出外因性ベース、エミッタおよびコレクタを備えたバイポーラ・トランジスタを、ゲートを備えたＣＭＯＳ回路と集積化して形成するプロセスを提供すること。

A process for forming a bipolar transistor with a raised extrinsic base (310) over the base (190), an emitter (350), and a buried collector (105) integrated with a CMOS transistor.

【解決手段】ＣＭＯＳおよびバイポーラ区域を有する中間半導体構造を設ける。バイポーラ区域中に真性ベース層を設ける。このＣＭＯＳおよびバイポーラ区域にわたってベース酸化物を形成し、また、これらの区域上に犠牲エミッタ・スタック・シリコン層を被着させる。バイポーラ区域を保護するためにフォトレジストを塗布し、バイポーラ区域上の犠牲層の上部表面が、ＣＭＯＳ区域の上部表面とほぼ同じ高さになるように、この構造をエッチングしてＣＭＯＳ区域からのみ犠牲層を除去する。最後に、ＣＭＯＳおよびバイポーラ区域の両方にわたって、後続のＣＭＰ（化学機械研磨）に適したほぼ平らな上部表面を有する研磨停止層を被着させて、突出外因性ベースを形成する。

An intermediate semiconductor structure is provided having CMOS and bipolar areas. An intrinsic base layer is provided in the bipolar area. A base oxide is formed across, and a sacrificial emitter stack silicon layer is deposited on, both the CMOS and bipolar areas. A photoresist is applied to protect the bipolar area and the structure is etched to remove the sacrificial layer from the CMOS area only such that the top surface of the sacrificial layer on the bipolar area is substantially flush with the top surface of the CMOS area. Finally, a polish stop layer is deposited having a substantially flat top surface across both the CMOS and bipolar areas suitable for subsequent chemical-mechanical polishing (CMP) to form the raised extrinsic base.

特許公表２００４－５３２５３４
WO03001603より引用