従来の技術による （利用している）

図３は、従来の技術による、SiH4フローの一時的中断を伴う成長方法にて製造された、Siキャッピング層を有するP-スパイクのSIMSプロットを示す。

Figure 3 shows a SIMS plot of a P-spike with an Si capping layer, produced by a growing method from the prior art using an interruption in the SiH4 flow.

特許公表２００４－５３３７１５
WO02079551より引用