中断

SiGe/SiGe[B]/SiGe層のリーディング及びトレーリングスロープは、成長の際にガスフローの中断がされる場合ほどは鋭くない。

The leading and trailing slopes of the SiGe/SiGe [B]/SiGe layer are not as steep as they may be when gas flow interruptions are used during growth.

特許公表２００４－５３３７１５
WO02079551より引用