更に（さらに）、本発明の方法

更に、本発明の方法は、ドープドシリコン・ゲルマニウム・カーボン合金（SiGe:C）層の製造においても、これらSiGe:C層内のn-型オートドーピングを抑制するために用いることができる。

Furthermore, it is noted that the method of the present invention may also be used in the manufacture of doped silicon-germanium-carbon alloy (SiGe: C) layers to suppress the n-type autodoping in such SiGe: C layers.

特許公表２００４－５３３７１５
WO02079551より引用