リーチスルー・インプラント領域、図面には示さない、may further include、connect XXX to YYY、beneath

これらの要素に加えて、この基板は、サブコレクタ領域の一部を基板の表面に接続するリーチスルー・インプラント領域（図面には示さず）、および特定の分離領域の深いトレンチ（図面には示さず）の下に形成されるチャネル・ストップ領域（図面には示さず）をさらに含んでもよい。
In addition to these elements, the substrate may further include a reach-through implant region (not shown in the drawings) which connects a portion of the sub-collector region to the surface of the substrate, and channel stop regions (not shown in the drawings) that are formed beneath deep trenches (also not shown in the drawings) of certain isolation regions.

特許公表２００４－５２７９２２
WO02097896より引用