に起因して #02、均整のとれた階段型半導体接合

第１のエミッタ層３６のコヒーラントに歪むする性質に起因して、ベース領域３４はほとんど欠陥を生じない。第２のエミッタ層４０は比較的分厚いが、第１のエミッタ層３６がコヒーラントに歪むべく十分に薄いので、同様に、その一部においてはほとんど欠陥が生じない。従って、第１の層３６のみがベース領域３４との均整のとれた階段型半導体接合を提供するだけでなく、第１の層３６は第２の層４０がほとんど欠陥なしで比較的分厚くエピキシャルに成長するのを可能としている。

Due to the thin, coherently strained nature of first emitter layer 36, base region 34 exhibits few defects. Likewise, second emitter layer 40, although relatively thick, exhibits few defects in part because first emitter layer 36 is sufficiently thin to be coherently strained. Accordingly, not only does first layer 36 provide a clean, abrupt semiconductor junction at base region 34, but first layer 36 allows second layer 40 to be epitaxially grown to a relatively thick width with few defects.

特許公表２００１－５１８７１６
WO9917372より引用

※均整の取れた symmetrical; well-proportioned 《form》; (well-)balanced 《development》
（研究社　新和英大辞典第５版より引用）