Although not shown、toward the upper regions of、distally removed from

図には示さないが、第２の層４０の上層域に向かって、即ち第１のエミッタ層３６から離れるにつれて、温度は低くされ、これによって第２のエミッタ層４０の一部が多結晶とされてもよい。また、これによってＨＢＴ２０の高温に曝される時間が短縮され、ベース－エミッタ間における相互拡散の危険性を更に低減せしめられる。

Although not shown, toward the upper regions of second layer 40, distally removed from first emitter layer 36, temperature may be lowered so that this portion of second emitter layer 40 becomes polycrystalline. Among other benefits, this lessens the time HBT 20 spends at elevated temperatures to further lessen risks of interdiffusion at the base-emitter junction.

特許公表２００１－５１８７１６
WO9917372より引用