当該所定位置、電気的接触をはかるための金属化層

図８は、図７で示された第７工程に続いて行われる第８工程を表わす。図８は前掲とは異なるパターニング及びエッチングの工程を示す。ＨＢＴ２０にパターン形成するためには従来のフォトリソグラフ技術を使用でき、パッシベーション層４２を取り去って所定位置にバイアス４４を形成するためにエッチング処理が行われる。当該所定位置には電気的接触をはかるための金属化層が最終的に設けられる。

FIG. 8 illustrates an eighth processing stage that follows the seventh processing stage depicted in FIG. 7. FIG. 8 shows another patterning and etching process.
Conventional photolithographic techniques can be used to pattern HBT 20, then etching is performed to remove passivation layer 42 to form vias 44 in locations where a metallized layer will eventually make electrical contacts.

特許公表２００１－５１８７１６
WO9917372より引用