従来のフォトリソグラフ技術、エッチング処理を施す

図６は、図５で示された第５工程に続いて行われる第６工程を表わす。図６はパターニング及びエッチングの工程を示している。従来のフォトリソグラフ技術によってＨＢＴ２０のパターンを形成することができ、エミッタ３８として利用されない第１及び第２のエミッタ層３６及び４０の一部を取り去るようにエッチング処理を施す。

FIG. 6 illustrates a sixth processing stage that follows the fifth processing stage depicted in FIG. 5. FIG. 6 shows a patterning and etching process. Conventional photolithographic techniques can be used to pattern HBT 20, then etching is performed to remove portions of first and second emitter layers 36 and 40 that will not be used for emitter 38.

特許公表２００１－５１８７１６
WO9917372より引用