階段型接触面、階段性

第１のエミッタ層３６がＳｉベース領域３４と階段型接触面を形成するのであるが、実際には第２の層４０がワイドバンドギャップ不連続の大部分に寄与する。そして、ベース－エミッタ接合周辺におけるＨＢＴ２０のバンドギャップ特性は、ベース領域３４と第２の層４０の間に使用される材料のバンドギャップの差異によって主に決定される。しかしながら、ベース－エミッタ接合の階段性（即ち、治金的および電気的接合の一致）は、主にベース領域３４と第１の層３６の間に使用される材料によって決定される。

While first emitter layer 36 provides an abrupt interface with Si base region 34, second layer 40 provides as great of a bandgap discontinuity as is practical. Thus, the bandgap characteristics of HBT 20 in the vicinity of the base-emitter junction are determined primarily by the bandgap differences between materials used for base region 34 and second layer 40. However, the abruptness of the base-emitter junction (i.e. the congruence of the metallurgical and electrical junctions) is determined primarily by materials used for base region 34 and first layer 36.

特許公表２００１－５１８７１６
WO9917372より引用