約XXX℃未満

適用温度が約８００℃未満にある限りにおいて、窒化ケイ素や二酸化ケイ素その他の従来のパッシベーション材料が従来の方法によって使用され得る。

Silicon nitride, silicon dioxide, or other conventional passivation materials may be applied in a conventional manner, so long as temperatures generally remain below about 800℃.

特許公表２００１－５１８７１６
WO9917372より引用